This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ24650:BQ24650

Guru**** 1956055 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24650
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/799798/bq24650-bq24650

器件型号:BQ24650

大家好、

请查看我的以下问题。

1) 1)数据表的第3页 显示、需要通过分频网络将 MPPSET 引脚设置为1.2伏。 当输入为太阳能电池板时、我们如何保证这将是1.2伏
在电压范围内变化?

2) 2)数据表的第3页指出、VREF 可用作引脚 STAT1和 STAT 2的上拉电阻。 这使我感到困惑、因为我认为2个 STAT 引脚的上拉电阻是 VIN、如第22页的原理图中所示。   VIN 是否标记为“太阳能电池半面板” 与用于通过 R7和 R8上拉状态1和2的 VIN 相同?

3) 3)请使用向下箭头说明地线和第22页上的机箱地线的使用。   电池连接到哪个接地端,太阳能电池板连接到哪个接地端?  

4) 4)我在第22页的原理图中看不到 C9的解释。 您能解释一下它的目的吗?

5) 5)请从第22页的原理图中指明哪些电容器是第23页的计算步骤9.2.2.2和9.2.2.3中引用的输入和输出电容器。

6) 6)我 注意到推荐的 FET 采用"PowerPAK"双封装设计。 对于频率和电容规格而言,这是必不可少的吗?  我跳过使用2个分立式 D-PAK 版本。  它们是否可用于此应用程序?  我们可能不会以10安培的电流运行、但更可能以2安培的电流运行。  请发表评论。

谢谢你  

Dave

  

  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Dave、
    充电器在内部调节为1.2V、因此对于 MPPSET、您只需设置上拉至 VIN 的电阻分压器网络、使电压与您太阳能电池板的 MPPT 值相对应、请参见数据表第8.3.2节中的公式2。 当感测到的电压为1.2V 时、充电器将调节充电电流以将 MPPSET 引脚上的电压保持在1.2V。
    2. STAT 可上拉至 VIN 或 VREF。 如果您上拉至 VREF、则更容易使用 MCU 来监控故障、而且在我们的 EVM 上、您可以放置一根跳线来禁用 VREF 的所有上拉电阻、从而更准确地测量充电器的静态电流。
    这些是指单独的模拟接地和电源接地。 有关更多信息、请参阅数据表的第11节"布局指南"、其中提供了有关接地层布线方式的更详细说明。
    c9是一个额外的并联电容器、它会增加 LC 输出的输出电容。 您可以使用计算器工具来确定电感器和电容器的值、以保持建议的 LC 谐振频率。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Dave、
    如 d.s 中所述、C6是输入电容器、必须尽可能靠近高侧 MOSFET 的漏极和低侧 MOSFET 的源极放置。 C8+C9构成了总输出电容。
    6.是的、您可以使用其他 FET。 确定开关 MOSFET 的参数时、请参阅第9.2.2.4节"功率 MOSFET 选择"。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢 Kedar、

    对于#6、我已经阅读了有关 FET 选择的详细部分。 考虑    到对 EVM 板中内置杂散电容的关注程度、我的问题是一般性的。  我了解 导通损耗和开关损耗之间的权衡。  我不  是 FET 方面的专家,但我想 ,仅仅几何形状和 尺寸  并不 一定 决定  RDS (ON) 或充电/放电特性 ,这是否是一个安全的假设?   我提出这一点的唯一原因 是 DPaks 是一个比 EVM 板(SI7288DP-T1)中所说的更容易替换的器件。   替换 BQ24650  将是无法手动实现的、但至少在 我们自己的布局和设计方面、我们可以更改 DPAK。   

    Dave

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Dave、
    是的;只要您注意其数据表中的实际 FET 规格、您还可以对可能遇到的损耗作出合理的假设。 我看不到您无法在电路板设计中更改为 DPAK 的任何原因。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢你

x 出现错误。请重试或与管理员联系。