请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：TPS53667 您好、E2E、
我们将使用 TPS53667 + CSD95490*5 (5相)进行设计。
VIN=12V、VOUT=0.95V、IOUT=160A
直流纹波规格为+/- 3%、瞬态规格为+/-5%。
我们是否可以为每个相位使用470uF/3MR POS-CAP 2个器件？ (共10个正电容)
电容是否足以满足此设计要求？ (不包括 MLCC)
尊敬的 Rama：
完整的电源树、如下所示、
VDDCORE (0.75V)
CSD95490*5 (5相)
VIN=12V、VOUT=0.75V、IOUT=160A
直流纹波规格为+/- 2%、瞬态规格为+/-7.5%。
我们是否可以为每个相位使用470uF/3MR POS-CAP 2个器件？ 或更低？
VDD3V3 (3.3V)
CSD95490*2 (两相)
VIN=12V、VOUT=3.3V、IOUT=75A
直流纹波规格为+/- 3%、瞬态规格为+/-7.5%。
我们是否可以为每个相位使用330uF/3MR POS 电容器2件？ 或更低？
VDD1V0 (1.0V)
CSD95490*2 (两相)
VIN=12V、VOUT=1.0V、IOUT=56A
直流纹波规格为+/- 3%、瞬态规格为+/-7.5%。
我们是否可以为每个相位使用330uF/3MR POS 电容器2件？ 或更低？
