我目前使用 ucc5390和 h 桥进行设计。 这里是原理图和文件。
我对栅极电阻值感到困惑。
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e2e.ti.com/.../Bridge_2D00_V3_2D00_1.pdfthanks以供答复。 此处是随附的原理图。
您好、Mohammad、
我查看了原理图、您的设计非常稳健。 实际上、您可能采取了过多的预防措施。
答:齐纳钳位可以是常规二极管钳位、就像 VDD2钳位从 OUT 到 VDD2一样。 您的电路可以正常工作,但在其他系统中,我更经常看到这种情况。 它还消除了一些齐纳泄漏电流。
B.栅极电阻器的尺寸远远大于所需值。 它们会为您的电路增加更多寄生电感、从而降低开关性能。 您可能能够使用一个0805导通电阻器和一个0805关断电阻器。 这些电阻器通常可以处理大得多的峰值电流、只要您不违反其 PDI 额定值、就应该可以。 数据表第11.2.2节提供了如何计算此 PD 的示例。 只需用外部电阻更换内部电阻、以确保其不会过热。
c.这些电容器可降至10uF 陶瓷电容器、以满足您的电流栅极电荷要求。 陶瓷电容器可以维持非常高的峰值电流、并且大多数峰值电流将已经由 IC 附近的100nF 电容器提供。 对于使用传统开关的几乎任何栅极驱动器电路而言、180uF 太大。 此外,由于您已经在使用 LDO 来调节这些轨电压,因此没有必要使用齐纳二极管。
d.在输入端添加滤波电容器。 可以使用数据表第11.2.2.1节中的计算来确定值
e.无需续流二极管、因为 FET 具有体二极管。
2.一个电源可以为全部4个 Vcc1供电、因为它们以同一接地端为基准。
3.使用相同的 VCC1电源轨为4个隔离式直流/直流转换器供电应该是可以的,假定 VCC1电源轨可以提供足够的电流为所有这些器件供电。
如果您使用的是所有陶瓷电容器、它们的 ESR 非常低。 它们的限制因素实际上是 ESL、这会减慢驱动器的可能 di/dt。 采用 X5R 或 X7R 电介质的陶瓷电容将为我们的驱动器提供最佳性能。 请参阅本应用手册中的图3、了解不同电容器类型和封装之间的阻抗差异。
http://www.ti.com/lit/an/slyt639/slyt639.pdf
如果这有助于回答您的问题、您可以按下绿色按钮吗?
谢谢、此致、
John