[参考译文] BQ24610：BQ24610：有关温度的问题

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器件型号：BQ24610
主题中讨论的其他器件： CSD18531Q5A

您好！

所调试电路的原理图如下所示。

相关参数如下所示。

(1)输入电压：24V；

(2)电池充电电压：12.6V；

(3)电池充电电流：2.8A；

(4)预充电及终止电流：0.3A；

(5)安全定时器：9.3h (CTTC-0.1uF)；

充电功能正常、但芯片 bq24610温度非常高。电感器的表面温度也很高。散热焊盘连接到 GND、铜涂层面积也很大。

请帮助分析可能的原因。

P.S. 输入电压为15V、温度不高。

5 年多前

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2382480 points

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e2e.ti.com/.../bq24610.docx

0 admin 5 年多前

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附件中显示了原理图。

此致！

0 admin 5 年多前

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您好！

我建议您首先在24V 和15V 输入电压下测量充电效率。

此致、

Joel H

0 admin 5 年多前

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您好！

充电效率没有显著差异。 24V 和15V 输入电压下的充电参数相同。

电池充电电压：12.6V；

电池充电电流：2.8A；

(1)这样使用 bq24610是否正确？ (电池充电电压：12.6V，输入电压：24V)

(2) 理论上、您能否帮助分析不同输入电压不同发热的原因？输入电压和充电电压之间的差异很大、会转化为热量消耗、对吧？它是否与 MOSFET Qg 相关？

(3)除了 PCB 布局外、高温的可能性是什么？

请帮助分析此问题。

此致！

John

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2382480 points

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尊敬的 John：

输入电压的差异会导致高侧 MOSFET 上的功率损耗和热耗散。 MOSFET 栅极驱动器功率损耗由 Piclosss_driver = Vin*Qg_total_fs 给出。增大输入电压将增加损耗、但选择 Qg 较低的 MOSFET (总栅极电荷)将降低所见的损耗。 MOSFET 栅极驱动器功率损耗会导致降压转换器开关时控制器 IC 上的主要损耗。

是的 Bq24610可与高达28V 的输入电压配合使用。和26V 的输出充电电压。唯一的考虑因素是有足够的余量、因此器件不会进入睡眠模式(VIN 和充电调节电压之间的1至2V 余量)、因此对于您的应用而言不会有任何问题。

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2382480 points

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您好 Kedar、

我还有两个问题、请帮助回答。

(1)我比较了三个 MOSFET 的参数、即我的应用中使用的 CSD18531Q5A（）、FDS4887 (在 TI 演示平台中使用)、SiS412DN (在第26页的 bq24610数据表中使用)、如附件所示。 SiS412DN 的 QG 较低。您是否更推荐它？然而，在这种情况下，使用另外两种方法是否有任何明显的问题？请帮助分析此问题。

(2)您建议电池在 VIN 和充电调节电压之间具有1至2V 的余量。如果适配器只能选择24V、充电电压为12.6V。您是否有任何好的措施来避免 bq24610和 MOSFET 在充电期间过热？

非常感谢！

John

e2e.ti.com/.../Qg-Contrast.docx

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2382480 points

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尊敬的 John：

MOSFET 的选择取决于系统、您应该考虑导通损耗和开关损耗。数据表的第10.2.2.4节"功率 MOSFET 选择"一节很好地解释了在选择外部 MOSFET 时要考虑的不同 MOSFET 参数。

我建议您在 VIN 和充电调节电压之间至少需要1V 至2V 的余量、以避免进入睡眠阈值。 24V 输入和12.6V 充电调节电压没有问题。

第12节"布局"提供了设计布局时的关键指导、因为布局在过热方面发挥着最大的作用。选择较低的 Qg MOSFET 也有助于减少热量。

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