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[参考译文] CSD18542KTT：功率耗散和热

admin
Guru**** 1689980 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/864901/csd18542ktt-power-dissipation-and-thermal

器件型号：CSD18542KTT

大家好、我有一个关于 FET 上结温以及占空比的基本问题。

我计划在三相电机的电源块上使用 CSD18542。  电机消耗的电流大约为1.4A、持续约50ms。  从下面显示的图像中计算的周期 I (希望正确)为~ 80ms。  这使占空比为0.62。

图像是通过 A 相上的钳位电流探头获得的。 您能告诉我这是不是您计算占空比的方法。。。。 这是6个 FET 中的任何一个导通的时间？

此外、我能否像这样计算 Tj： TJ = TC + ID x VDS x D。 其中 D 是占空比。

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    TI__Guru**** 1689980 points
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    我想澄清的是、我在计算结温时不考虑任何开关或传导损耗。

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    TI__Guru**** 1689980 points
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    您好、Jorge、

    感谢您的查询。 请参阅附件。 我将计算显示的信号周期为160ms。 开始点和结束点应相同、以捕获一个完整周期。 您可以使用数据表图1中所示的瞬态热阻抗曲线来计算 FET 的温升。 在50ms 时、您几乎接近稳态值、其中占空比没有很大影响。 我会将导通损耗计算为 IRMS^^2 x RDS (on)。

    e2e.ti.com/.../1541.Waveform.pdf

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    TI__Guru**** 1689980 points
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    谢谢 John。  我想确保我理解得很好。  下面的图片是否反映了您在回复中所述的内容(对混乱的捕捉表示歉意)？

    好的、现在在温升方面：

    TJ = TC + 0.9C/W x I^2 x Rdson

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    TI__Guru**** 1689980 points
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    您好、Jorge、

    是的、您已为30%占空比和50ms 脉宽选择了正确的曲线。 但是、请注意、ZthathaJC 是一个标准化因子、您可以乘以 RthetaJC 来获得一个等效的热阻抗。 当您进一步向图形右侧移动时、所有曲线都接近值1。 在这种情况下、针对您的工作条件、您需要将0.9 x 0.6C/W 相乘= 0.54C/W 等效热阻抗。