[参考译文] LM5114：LM5114

尊敬的 Robin：

感谢您发帖介绍 LM5114和 HV GaN！
您的附件看起来丢失了、您能重新发布吗？
PMP40328使用 UCC27712、这是一款600V 栅极驱动器、不适合您的总线电压。然而、您是否已经了解过隔离式 GaN/MOSFET 驱动器 UCC21220A、该驱动器具有5V UVLO 和双隔离通道、可更有效地驱动 HV GaN FET？

谢谢、

e2e.ti.com/.../GaN_5F00_stack.pdfJeff:

我刚才意识到 LM5114不是隔离式的。 因此、我必须足够快地提供另一个芯片、以免造成问题。

想象一下 NVE 隔离器：它们的延迟额定值为 ns。。。

现在、我注意到 UCC21220A 输出侧从9V 上升。 但我们使用的 GaN 的驱动信号不能超过5V。 大多数不是。

因此、UCC21220A 可能不适用于任何 GaN、对吧？

这里是先前的 pdf 文件，不知为何丢失了...在这里，您能建议一种更巧妙的方法来最小化驱动 器吗...例如，您在 UCC287xx 芯片中使用了共源共栅方法吗？

Thnx 用于提示重放。

-robin

Derek：

我非常感谢您基于好奇心的询问：为什么不使用 SiC 器件！ 让我们就这个问题进行几次交流-尽管在 这个论坛中不是北问答

很难适应 1200V 器件。 以下是我们不得不放弃它们的关键原因  

最棒的房地产  即使在考虑串联/并联的多个 GaN 后、不处理极端 SiC 功能的 GaN 器件也几乎要小10倍。

2  ：驱动程序复杂性。 对于这种特殊情况、GaN 要简单得多。 稍后将对此进行详细介绍。 我们的开关具有固定150kHz 的 ZVS/ZCS 开关(谐振模式转换器)。 谐振链内部没有直流存储。

3功率密度(航空航天领域的交换)-我们或许提供尽可能最小的最高效交流/直流-所有这些都使用三相飞机发电机的完全凸极特性来实现大约20kW 的功率。

4 由于尺寸和热平面、组装 GaN 的特定方法可提供非常有效的热管理。

PL 当今的布局现已成熟：8个具有本地 LDO (所有 TI 产品)的 GaN、多个超紧凑型浮点电源(使用这种微型超小型法的 SN6501-01)。  GaN 基板的总体尺寸约为40mm x 38mm ...该单元提供的功率约为1000W。 我们有基于 MOSFET 的同步整流。 控制是通过 使用 UCD3138实现的。 但同步信号将由控制器生成。

感谢您的评论。

我一定会仔细检查您的驱动器芯片建议。 我可能误读了一些规格。

Thnx 很多

robine2e.ti.com/.../GaN_5F00_layout_5F00_ti.pdf

尊敬的 Robin：

您是否仍想查看布局？

您是否认为您还可以发送原理图、以便我确切地知道布局文件中包含哪些组件？

谢谢、

Jeff

我不得不承认、我曾尝试过 SiC 和 Derek 司机的建议。

它不会奏效。

现在、我们拥有由多个浮动 Si8273 LGA 驱动器驱动的 GaN 系统 GS66508T 8器件。

除了   在这个区域、TI 器件在所有方面都发挥着至关重要的作用。 如果 你对评论感兴趣，那就不要来了，但我很喜欢。 然后、必须将其加密后发送到 ti 的单个电子邮件。

Thnx

Robin

是的、可以。 Thnx 非常感谢...我将激活友谊电子邮件

Jeff：通过电子邮件向您发送了一个文件。