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[参考译文] LM5114:LM5114

Guru**** 1624225 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5114, PMP40328, UCC27712, UCC21220A, TIDA-00173, ISO7740, ISO7720, LMG1020, UCC27511, UCD3138
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/784004/lm5114-lm5114

器件型号:LM5114
主题中讨论的其他器件: PMP40328UCC27712UCC21220ATIDA-00173ISO7740ISO7720LMG1020UCC27511UCD3138

你(们)好

严格来说、这不是 LM5114问题。 相关。

PL 有关固定频率下的无桥交流/直流转换器、请参阅随附的"GaN 电源开关堆栈"。 谐振模式。

显示正弦波的节点可以高达1100V、具有最大 线路输入(wrt 至本地中性点)。  

出于许多实际原因、我们必须使用 GaN 器件。 但在 开关速率(150kHz)下、通过+1100V/-100V 波形的限制堆叠双极电压是没有其他方法的

是否有任何巧妙的方法来避免这么多的浮动栅极驱动器?...就像您使用 UCC287xx 系列的 HV 输入低功耗转换器的"共源共栅"一样?

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    尊敬的 Robin:

    感谢您发帖介绍 LM5114和 HV GaN!
    您的附件看起来丢失了、您能重新发布吗?
    PMP40328使用 UCC27712、这是一款600V 栅极驱动器、不适合您的总线电压。然而、您是否已经了解过隔离式 GaN/MOSFET 驱动器 UCC21220A、该驱动器具有5V UVLO 和双隔离通道、可更有效地驱动 HV GaN FET?

    谢谢、
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    e2e.ti.com/.../GaN_5F00_stack.pdfJeff:

    我刚才意识到 LM5114不是隔离式的。 因此、我必须足够快地提供另一个芯片、以免造成问题。

    想象一下 NVE 隔离器:它们的延迟额定值为 ns。。。

    现在、我注意到 UCC21220A 输出侧从9V 上升。 但我们使用的 GaN 的驱动信号不能超过5V。 大多数不是。

    因此、UCC21220A 可能不适用于任何 GaN、对吧?

    这里是先前的 pdf 文件,不知为何丢失了...在这里,您能建议一种更巧妙的方法来最小化驱动 器吗...例如,您在 UCC287xx 芯片中使用了共源共栅方法吗?

    Thnx 用于提示重放。

    -robin

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    尊敬的 Robin:

    TIDA-00173确实使用巧妙的共源共栅拓扑来开关非常大的电压、但使用单极直流总线。 对于双极交流波形、这种共源共栅拓扑不能很好地工作、因为当交流波形接近0V 时、流入齐纳二极管栅极钳位的电流将非常低、这将使栅极驱动信号失真。

    UCC21220A 适用于附件中的 GS66508T。 UCC21220A 的典型 UVLO 上升阈值为5.5V、建议的工作电压从6V 开始。 这在 GS66508T 的栅极驱动范围内、如 FET 数据表首页所示:"轻松栅极驱动要求(0V 至6V)"

    是否可以重新排列堆叠的 FET 以使源节点达到中点? 然后、可通过2个 UCC21220A (如果 Q1/Q2、Q3/Q4、Q5/Q6、Q7/Q8是并联的)或4个 UCC21220A (如果所有器件均独立驱动)、1至2个数字隔离器(如 ISO7720或 ISO7740)(取决于并联驱动的 FET)来控制此电路、 和一个6V 隔离式电源以及一个1.2V 或2.7V 系列齐纳二极管、用于数字电源。

    如果应用绝对不能承受6V 栅极驱动、那么您可能会更幸运地组合使用隔离式5V 电源、数字隔离器和单通道栅极驱动器、例如 UCC27511 (或 UCC2751x 系列中的等效器件)或 LMG1020。

    出于好奇、为何此应用不考虑使用 SiC MOSFET? 额定电压为1200V 的双向开关似乎处于最大额定线路电压范围内。

    此致

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    Derek:

    我非常感谢您基于好奇心的询问:为什么不使用 SiC 器件! 让我们就这个问题进行几次交流-尽管在 这个论坛中不是北问答

    很难适应 1200V 器件。 以下是我们不得不放弃它们的关键原因  

    最棒的房地产  即使在考虑串联/并联的多个 GaN 后、不处理极端 SiC 功能的 GaN 器件也几乎要小10倍。

    2  :驱动程序复杂性。 对于这种特殊情况、GaN 要简单得多。 稍后将对此进行详细介绍。 我们的开关具有固定150kHz 的 ZVS/ZCS 开关(谐振模式转换器)。 谐振链内部没有直流存储。

    3功率密度(航空航天领域的交换)-我们或许提供尽可能最小的最高效交流/直流-所有这些都使用三相飞机发电机的完全凸极特性来实现大约20kW 的功率。

    4 由于尺寸和热平面、组装 GaN 的特定方法可提供非常有效的热管理。

    PL 当今的布局现已成熟:8个具有本地 LDO (所有 TI 产品)的 GaN、多个超紧凑型浮点电源(使用这种微型超小型法的 SN6501-01)。  GaN 基板的总体尺寸约为40mm x 38mm ...该单元提供的功率约为1000W。 我们有基于 MOSFET 的同步整流。 控制是通过 使用 UCD3138实现的。 但同步信号将由控制器生成。

    感谢您的评论。

    我一定会仔细检查您的驱动器芯片建议。 我可能误读了一些规格。

    Thnx 很多

    robine2e.ti.com/.../GaN_5F00_layout_5F00_ti.pdf

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    尊敬的 Robin:

    您是否仍想查看布局?

    您是否认为您还可以发送原理图、以便我确切地知道布局文件中包含哪些组件?

    谢谢、

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    Jeff

    我不得不承认、我曾尝试过 SiC 和 Derek 司机的建议。

    它不会奏效。

    现在、我们拥有由多个浮动 Si8273 LGA 驱动器驱动的 GaN 系统 GS66508T 8器件。

    除了   在这个区域、TI 器件在所有方面都发挥着至关重要的作用。 如果 你对评论感兴趣,那就不要来了,但我很喜欢。 然后、必须将其加密后发送到 ti 的单个电子邮件。

    Thnx

    Robin

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    尊敬的 Robin:

    我们对迟迟不能回复您深表歉意。  我叫 Mamadou Diallo、与 Derek 和 Jeff 一起工作。

    请接受我们将向您发送的私人朋友申请、您可以在其中分享您的原理图和布局以供进一步审查。

    同时、我将关闭此线程并将其标记为 Resolved。

    如果您在使用我们的驱动程序时遇到进一步的问题、请告知我们。

    此致、

    -Mamadou

    此通信和任何相关通信中的所有信息均按“原样”和“不含任何瑕疵”提供,并受 TI 重要声明(http://www.ti.com/corp/docs/legal/important-notice.shtml)的约束。

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    是的、可以。 Thnx 非常感谢...我将激活友谊电子邮件
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    尊敬的 Robin:

    听起来不错、感谢您的激活、期待收到您的回复!
    我将关闭此主题并等待您的离线电子邮件继续此审核。

    谢谢、
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    好的、thnx。 尽快
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    Jeff:通过电子邮件向您发送了一个文件。
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    谢谢 Robin!
    现在离线处理、我将在本周结束前向您发送一份回复、以帮助您解决栅极驱动器问题。
    谢谢、