[参考译文] LM5114：LM5114

尊敬的 Robin：

感谢您发帖介绍 LM5114和 HV GaN！
您的附件看起来丢失了、您能重新发布吗？
PMP40328使用 UCC27712、这是一款600V 栅极驱动器、不适合您的总线电压。然而、您是否已经了解过隔离式 GaN/MOSFET 驱动器 UCC21220A、该驱动器具有5V UVLO 和双隔离通道、可更有效地驱动 HV GaN FET？

谢谢、

e2e.ti.com/.../GaN_5F00_stack.pdfJeff:

我刚才意识到 LM5114不是隔离式的。 因此、我必须足够快地提供另一个芯片、以免造成问题。

想象一下 NVE 隔离器：它们的延迟额定值为 ns。。。

现在、我注意到 UCC21220A 输出侧从9V 上升。 但我们使用的 GaN 的驱动信号不能超过5V。 大多数不是。

因此、UCC21220A 可能不适用于任何 GaN、对吧？

这里是先前的 pdf 文件，不知为何丢失了...在这里，您能建议一种更巧妙的方法来最小化驱动 器吗...例如，您在 UCC287xx 芯片中使用了共源共栅方法吗？

Thnx 用于提示重放。

-robin

尊敬的 Robin：

TIDA-00173确实使用巧妙的共源共栅拓扑来开关非常大的电压、但使用单极直流总线。 对于双极交流波形、这种共源共栅拓扑不能很好地工作、因为当交流波形接近0V 时、流入齐纳二极管栅极钳位的电流将非常低、这将使栅极驱动信号失真。

UCC21220A 适用于附件中的 GS66508T。 UCC21220A 的典型 UVLO 上升阈值为5.5V、建议的工作电压从6V 开始。 这在 GS66508T 的栅极驱动范围内、如 FET 数据表首页所示："轻松栅极驱动要求(0V 至6V)"

是否可以重新排列堆叠的 FET 以使源节点达到中点？ 然后、可通过2个 UCC21220A (如果 Q1/Q2、Q3/Q4、Q5/Q6、Q7/Q8是并联的)或4个 UCC21220A (如果所有器件均独立驱动)、1至2个数字隔离器(如 ISO7720或 ISO7740)(取决于并联驱动的 FET)来控制此电路、 和一个6V 隔离式电源以及一个1.2V 或2.7V 系列齐纳二极管、用于数字电源。

如果应用绝对不能承受6V 栅极驱动、那么您可能会更幸运地组合使用隔离式5V 电源、数字隔离器和单通道栅极驱动器、例如 UCC27511 (或 UCC2751x 系列中的等效器件)或 LMG1020。

出于好奇、为何此应用不考虑使用 SiC MOSFET？ 额定电压为1200V 的双向开关似乎处于最大额定线路电压范围内。

此致

尊敬的 Robin：

您是否仍想查看布局？

您是否认为您还可以发送原理图、以便我确切地知道布局文件中包含哪些组件？

谢谢、

Jeff

我不得不承认、我曾尝试过 SiC 和 Derek 司机的建议。

它不会奏效。

现在、我们拥有由多个浮动 Si8273 LGA 驱动器驱动的 GaN 系统 GS66508T 8器件。

除了   在这个区域、TI 器件在所有方面都发挥着至关重要的作用。 如果 你对评论感兴趣，那就不要来了，但我很喜欢。 然后、必须将其加密后发送到 ti 的单个电子邮件。

Thnx

Robin

是的、可以。 Thnx 非常感谢...我将激活友谊电子邮件

Jeff：通过电子邮件向您发送了一个文件。