[参考译文] LMG3422R030：查找比较 GaN MOSFET

您好！

我是否可以了解有关此设计中使用的拓扑的更多信息？ 我看到的是 PFC 和 PWM、但我不确定它是升压 PFC 还是图腾柱、与直流/直流级相同。

从初始来看、我们的 LMG3411R070器件似乎是 PFC 级的潜在替代产品、而我们的 LMG3411R150器件则是直流/直流级的理想选择。 我们还有各种资源、可用于计算功率损耗、并可与我共享各种拓扑。

此致、

扎赫

您好！

感谢您的更新。 目前、我们有一个 CCM 升压 PFC 和一个图腾柱 PFC 计算器。 我们目前正在使用 LLC 计算器、但尚未完成。

以下是我们的图腾柱计算器的链接、您可以选择不同的 TI GaN FET 并设置系统参数：

 https://www.ti.com/lit/zip/snor030 

此致、

扎赫

您好、Rock、

抱歉、我错了、让我花一点时间正确地重复一下。

我们的 LMG3411R070器件似乎是 PFC 级的潜在替代产品、而我们的 LMG3411R150器件则是直流/直流级的理想选择。  两个器件都是 LMG3411x、只是具有不同的 RDSon 值。

关于 PFC 应用手册、请给我1天时间与您联系、我将了解我们是否有任何合适的参考资料。

对于2kW 以上的功率增加、我需要在给出建议之前更详细地了解系统。 我们在大于2kW 的应用中使用了 LMG34x 器件；但是、根据电压应力、LMG35x 器件可能更适合、因为它们具有更高的额定电压。 如果您想了解更多信息、请随时咨询、我可以为您提供。

此致、

扎赫

您好！

我们目前没有任何与图腾柱 PFC 相关的技术应用手册、我们有此白皮书、但它可能不是您想要的：

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/how-gan-enables-high-efficiency-in-totem-pole-pfc-based-power-designs-402620384 

我们可能很快就会创建应用手册、如果是、我会告诉您。

此致、

扎赫

您好！

我将尽力回答您的问题、但首先要指出、我的资源有限、因此我的答案可能无法满足您的所有需求。

我们没有 GaN FET 的预制选择表、如果您想对 TI 器件进行比较、请随时提出更多问题、我可以提供一些答案。 我们也没有 GaN 与特定硅器件的直接比较表、我建议您的客户在我们的网站或一般网站上搜索氮化镓技术文章/应用手册、以清楚地了解其优势。 我们 GaN 的主要优势包括更低的开关损耗、更快的开关速度、最小的尺寸、可靠的性能、集成的驱动器、 和保护特性。 下面是一个比较我们的 LMG341xR070与上表中提供的 IPx60r099P6的示例：

左侧是硅器件、右侧是 GaN。 从比较中可以看出、我们的 GaN 提供的电容更低、并且没有反向恢复电荷。 在数据表中、您可以进一步找到有关 GaN 通过集成驱动器实现更快开关速度的信息。

我们 GaN 器件的每个数据表(包括 LMG341xR070)都有一节关于布局指南的内容、所述示例从数据表的第23页开始介绍了这些指南。  

3.对于高电压 和高功率 应用、我们不提供具有此描述的器件；但是、我们的单个器件器件已设置为在半桥应用中使用、并且每个数据表都为此提供了特定的指南。

此致、

扎赫