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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/820672/csd25480f3-gate-current-through-esd-diode-forward-biased
CSD25480F3在栅极上集成了 ESD 二极管、因此可钳制相对于源极的正栅极电压。 是否已针对 VG>VS 的锁存阈值对该器件进行了评估、如果是、有多少正栅极电流是安全的？ 是否有可能产生寄生 BJT 的埋结或双孔？ 提前感谢。
Peter、
感谢您考虑我们的 FET。
我正在与一些同事进行联系、有人明天会向您提供最新消息。
尊敬的 Peter：
感谢您提出问题。 请参阅下面我同事的回复。
栅极下的扩散二极管是一个非常简单的垂直 P-N 二极管、其掺杂浓度可进行调节以提供所需的钳位电压–在本例中约为14V。 附近没有会导致显著寄生双极作用的结、并且器件与一个现场板端接、以防止器件表面击穿。 该钳位二极管在1mA 下进行例行测试、不会产生不利影响。 我们建议将钳位模式(击穿模式)下的电流降至35mA、以最大限度地减小不利的热效应、实际电流限值由应用中系统的热时间常数决定。 该钳位二极管具有提供出色 ESD 保护的可靠跟踪记录、应在典型的负载开关应用中证明其稳健耐用。
我没有亲自测试过这种特殊的14V 二极管，但已经测试了232xx 系列中的6V 衍生产品，方法是在周末以高达几安培的电流对其进行脉冲，而不会在测量的 IV 曲线中出现任何下降。 这个垂直二极管是一个可靠的执行器。
感谢 Chris 和 John。 这很有帮助。 只需确认一下、这些器件在栅极 ESD 二极管中常规测量的1mA 正向电流、还是反向电流？ 我们的应用将保持远低于1mA 的正向电流。 1mA 正向电流(？) 通过量产测试的栅极 ESD 二极管部分的电流(经过100%测试)？
我正在检查、一旦收到回复、就会立即回复您。
再次感谢您关注 TI MOSFET。 我与小组进行了检查、ESD 二极管在正向和反向电流均为1.0mA 时经过100%测试。 在这些测试期间测量齐纳击穿电压和正向电压。
John -非常好。 非常感谢！
