[参考译文] LM5104：驱动并联 MOSFET

您好、Andrew、

感谢您澄清了您用于并联 MOSFET 的方法。 对于驱动多个并联 FET 的单个驱动器、我们始终建议为每个 FET 使用单独的栅极驱动电阻器。 并联 FET 的时序不应存在显著差异、任何差异都是由栅极电荷的变化引起的。 如果担心 MOSFET 开关的差异很小、LM5104允许通过 RT 引脚设置额外的延迟时间、在这种情况下、我建议这样做。

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此致、

您好、Andrew、

MOSFET 的连接和并联看起来正常。 我的一个注释是关于 HB 电容和 VDD 电容。

我看到其中3个 MOSFET 的栅极电荷相当高、为3x 122nC 或366nC。 4.7uF 引导电容将导致 MOSFET Qg 充电产生低纹波。 我们通常建议 VDD 电容为引导电容的10倍、以便在 VDD 电容上不会出现较大压降的情况下为引导电容充电。 VDD 电容也为4.7uF、因此我建议增大 VDD 电容。

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感谢您的观看、我看到这是在数据表中编写的。

感谢你的帮助。