[参考译文] LM5175：低栅极反弹(PDC9-36V)

尊敬的 David：

感谢您使用 E2E 论坛。

您是如何测量的？ 您是否使用了 Tipp & Barrel 方法来避免信号拾取。

您还可以测量 SW 节点电压吗？

和该 MOSFET 的源漏极电压(需要差分探针)。

注意：上升沿也有一个较大的欠压摆幅-超出规格

此致、

 Stefan

您好 Stefan、

感谢您的回复。

我不明白什么是 Tipp & Barrel 方法。 您能具体解释一下吗？

下图 CH2测量了 SW 节点。

CH1：TG1、   CH2：SW、   CH4：BG1.

 低侧 MOSFET 的源漏极电压是 SW (CH2)？

下图的红色通道是差分通道、即 TG1- SW。

祝你一切顺利！

尊敬的 David：

请在此处查找有关 Tipp 和 Barrel 的一些说明：

https://www.ti.com/seclit/ml/slup385/slup385.pdf

幻灯片28

此致、

 Stefan

您好 Stefan、

我发现测量时 GND 选择会导致低侧反弹。 因此低侧不是问题。

但高侧将在上升时下降。 该 IC 需要缓冲电路的剂量？ 首选参数是什么？

此致、

David

尊敬的 David：

高侧没有过摆幅-只是一个压降-这是最合适的、因为 MOSFET 的米勒电容器和正常行为。

我希望在较低的电压下会发生这种情况、那么您能否检查您对开关和米勒平坦区 MOSFET 的额定值。

这应远 低于 (1 -2V)栅极高电平信号。 (在栅极和源极之间测量的栅极高电平)。

此致、

 Stefan

您好 Stefan、

红色曲线的计算公式为"高侧"减去"相位"、即高侧 MOSFET 的 VGS。 如图所示、此曲线由于相位和隐藏侧的下降而下降。 我认为 VGS 曲线将是一个平坦的曲线、但如果是米勒平坦的曲线、则不会出现下降。 这是正常的吗？ 我不是很确定。

此外、MOSFET 的参数如下所示：

VGS (TH)：1.7V

QGS：6.5nC

Qgd：6nC

QG：16.5nC

此致。

David

您好 Stefan、

您能为我们检查布局了。 MOSFET 和电感器背靠背放置。 这是问题吗？

此致。

David

尊敬的 David：

我的第一个猜测是、绿色信号(LDRV1)中有一些噪声拾取、这将使数学显示骤降。

您是否可以选择使用差分探头来证明此测量结果？

您是否已设置探头使用最小化的探头接地回路、请参阅：  

TIPP 和桶式：

https://www.ti.com/seclit/ml/slup385/slup385.pdf

幻灯片28

此致、

 Stefan

您好 Stefan、

很抱歉、我们可以使用差分探头。

绿色信号错误。 我们按如下方式重新测量信号。  

黄色：ugate

蓝色：相位

紫色：Lgate

红色：黄色信号减去蓝色信号

Ugate 有摆幅。 您能告诉我如何解决此问题吗？ 原理图如下所示。

此致、

David

尊敬的 David：

您能否确认您使用了 Tipp Barrel 方法来测量此信号？

此致、

 Stefan

您好 Stefan、

使用 Tipp Barrel 方法后、摆幅会降低。 非常感谢。

我还有另一个问题。 ugate 的抖动很奇怪。 如下图所示、它会震颤到特定的线路中。 这是正常的吗？

LM5175的抖动标准是什么？ 根据我们的计算、抖动为12%。

此致、

David

尊敬的 David：

您在上面测量的是哪个信号？

您能否在相同条件下探测同一信号并在下降沿触发？ 另请分享此图。

此致、

 Stefan

您好 Stefan、

信号是 ugate。

下降沿如下。

此致

David

尊敬的 David：

在产品页面上、您可以找到快速入门计算器。

LM5175数据表、产品信息和支持|德州仪器 TI.com

您能否使用此项并填写设计中的数据。

请检查建议和使用的斜率补偿值。

此致、

 Stefan

您好 Stefan、

我认为抖动很大、或者 TI 的抖动标准是什么？我认为您提供的链接无法解决我的问题。

如果抖动不符合您的标准、如何解决？

此致、

David

尊敬的 David：

我同意抖动过大、但对于抖动、几个因素可能是根本原因、例如

-斜率补偿错误->电流感测放大器的边沿过慢或过快

布局->以便 Rsense 拾取噪声

模拟信号和感应信号接地不良

- LM5175的 Vcc 去耦效率低

-电源去耦太弱或电源不够稳定

此致、

 Stefan