[参考译文] LM5116：LM5116布局和原理图检查

admin

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/625898/lm5116-lm5116-layout-and-schematic-check

器件型号：LM5116

您好！

您能帮您检查以下原理图和布局吗？

输入54V-84V、输出36V 8A、开关频率为200kHz。

e2e.ti.com/.../DCDC300W84V-to-36V.zip

谢谢、此致、

维克多

8 年多前

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2357930 points

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e2e.ti.com/.../lm5116-Flour-Plan.pdfHi维克多、

原理图看起来正常。我会做一些调整。

1.将 R14从750k 更改为 150k

2.将 Rsense 从10mR 更改为5MR。

3.将 R12从3.6k 更改为400k

4.将 C17从100nF 更改为1nF。

我检查了您的布局，我会考虑查看附件并遵循其中所述的准则。

希望这对您有所帮助？

此致

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2357930 points

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尊敬的 David：

客户已修改电路并重新布局 PCB。直流/直流现在可以正常运行。

下面是低侧 FET 的 Vgs 波形。关断时的下冲约为-7V。是否会导致任何问题？

更新电路和布局如下所示。

e2e.ti.com/.../LM5116.zip

谢谢、

维克多

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2357930 points

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进行测量时、您需要确保示波器探针上的接地导线非常短。我建议将弹簧夹和开尔文连接到 FET 的栅极和源极。如果您使用 Rsense、则接地端需要连接到感应电阻器的接地端。但环路需要非常小、否则接地引线上会拾取噪声。

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2357930 points

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测量方法正确。下面是 SW 波形、显示了高侧 MOSFET 导通时的极高过冲。

对该电路有任何建议吗？此外、目前客户正在使用2层 PCB、是否需要更改为4层？

此致、

维克多

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2357930 points

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尊敬的 Victor：

开关节点测量显示出显著的开关节点振铃。如果放大上升沿、则可以更清楚地看到振铃振幅和频率。

为了减少开关节点振铃：随附的3张幻灯片将有助于开关节点 ringinge2e.ti.com/.../Switchnode-Ringing.pdf。

1.降低功率 FET 的寄生 di/dt 环路电感。

->在 PVIN 和 PGND 之间靠近高侧和低侧 FET 放置一个小型(例如0402尺寸)高频陶瓷电容器、例如0.047uF。

->通过将铜层放置在尽可能靠近寄生环路区域的位置、可以进一步降低环路电感。例如、在中间层2中、最好是6mil 距离。因此、使用4层 PCB 可以降低寄生环路电感。

->在使用多个功率 FET 时、就像在本例中那样放置多个高频电容器、以便减少每个寄生环路。

2、最后一步是优化缓冲器滤波器。

此致、

Robert Loke

电源管理（参考译文帖）

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