[参考译文] CSD95379Q3M：降压配置中的输出电压(VSW)有哪些限制？

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/620389/csd95379q3m-what-are-limits-to-output-voltage-vsw-in-buck-configuration

器件型号：CSD95379Q3M
主题中讨论的其他器件：DRV595

您好、E2E NexFET。

能否将 NexFET 用于12V 的6V 至8V 输出降压？

抱歉、如果这是一个愚蠢的问题。数据表显示 Vin - VSW & VSW - PGND 上的绝对最大值为20V、因此我不明白为什么不这么做、但所有 TI 文献似乎都针对低压 POL 电源。此外、DrMOS 桥似乎只限于低电压输出。

我需要一个驱动 H 桥为 TEC 供电(2.2欧姆热电冷却器、3.4A 时需要6.3V)。我计划对 PWM 信号使用微控制器或 LT1923 (抱歉、TI)、但不管怎样、我想用小于5V 的逻辑和12V 高侧电源轨来驱动 H 桥。如果我在 TEC 上执行双向操作(加热和冷却)、这意味着该器件必须灌入电流。这是可以的吗？

我确实找到了 TI 的 DRV595、并考虑修改设计以使用它、但它相当昂贵。

我还找到了可能起作用的 DRV84x2。

感谢您提供任何具体或一般性建议。包括有关如何回答我自己的问题的提示！

Paul

8 年多前

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2331900 points

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Paul、
对于输入电压至输出电压、您应该能够很好地承受建议的工作条件(12V 输入电压至8V 输出电压将是~66%的直流电、因此那里很好)。

关于您在灌电流方面的问题、我已联系我们的应用团队、了解他们的意见。我很快就会为您提供答案。

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2331900 points

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我们应用团队的回应：

"同步降压具有双向电流流动能力、因此它可以拉电流和灌电流。建议 VDD 为5V (最小4.5V)。逻辑输入信号(PWM、SKIP#)与3.3V 逻辑兼容。"

0 admin 8 年多前

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嗨、Brett。

感谢你们为我深入探讨这个问题。听起来很值得一试、因此我很高兴找到了这么小而强大的器件！

Paul

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