请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：CSD95379Q3M 主题中讨论的其他器件：DRV595
您好、E2E NexFET。
能否将 NexFET 用于12V 的6V 至8V 输出降压？
抱歉、如果这是一个愚蠢的问题。 数据表显示 Vin - VSW & VSW - PGND 上的绝对最大值为20V、因此我不明白为什么不这么做、但所有 TI 文献似乎都针对低压 POL 电源。 此外、DrMOS 桥似乎只限于低电压输出。
我需要一个驱动 H 桥为 TEC 供电(2.2欧姆热电冷却器、3.4A 时需要6.3V)。 我计划对 PWM 信号使用微控制器或 LT1923 (抱歉、TI)、但不管怎样、我想用小于5V 的逻辑和12V 高侧电源轨来驱动 H 桥。 如果我在 TEC 上执行双向操作(加热和冷却)、这意味着该器件必须灌入电流。 这是可以的吗？
我确实找到了 TI 的 DRV595、并考虑修改设计以使用它、但它相当昂贵。
我还找到了可能起作用的 DRV84x2。
感谢您提供任何具体或一般性建议。 包括有关如何回答我自己的问题的提示！
Paul
