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器件型号：TLV62090 插座：TLV62090
应用：输入电压：5V、输出电压：3.3V；测试点：T97，上冲1.65V、下冲0.81V，我们需要将其控制在小于0.5V 的水平。
下面是原理图和波形、请帮助检查并提供建议。
谢谢。
尊敬的 Emmanuel：
我们调整 R312/R316/C222/C225的值、并改善过冲。
但是、现在波形中有如下的回波、我们没有任何理想因素来解决它。
您可以帮助提供一些建议吗？
非常感谢。
尊敬的客户：
我认为您在图片中所说的回波是在死区时间内低侧 FET 的背二极管导通。
死区时间是低侧和高侧 FET 的导通和关断相间的时间。 为了避免 FET 之间的交叉传导、这会导致高电流损坏器件、或在交叉传导期间的能量(电流*电压*时间)不足以承受电气过载时导致效率损失。 因此、我不会对这种"下冲"感到太担心。
我宁愿检查高侧关闭和低侧打开时会发生什么情况！ 我在下图中以绿色突出显示了一个奇怪的振荡、这显示了 SW 节点突然上升了一段时间...这是一个可能的迹象、表明在 低侧背二极管开始传导电感电流之前、高侧再次导通。 实际上、您可以看到没有"下冲"。 这意味着电流可以从 高侧直接传递到低侧、因此、您可能具有上述交叉传导。
高侧双导通的这种行为 是由漏源极电容和 SW 节点的斜率(dV/dt * C=I)引起 的、这会导致电流通过漏栅高侧寄生电容为高侧栅源极电容充电、最终使器件导通。
为了更好地理解这种行为、我建议阅读 "在 MOSFET 半桥中建模开关损耗"、G.Di Capua、N. Femia、 IEEE SMACD 2012。
回到我们的问题、该器件旨在避免这种行为、并允许背二极管在死区时间内导通。 实际上、我认为缓冲电容器、尤其是我们的数据表应用示例中未提及的 C225、是造成这种影响的原因。 我会选择不同的值并标注尺寸、以便您可以在绿色椭圆形中看到背二极管"下冲"。
如果您有任何疑问、请随时提问。
此致、
Emmanuel Granatello
你好： Emmanuel
在这里不容易找到、我设计的是 TLV62090应用的原理图。 首先、我要感谢刘先生( TI 的 FAE)在这里提出我的问题！
I 改进探头如下所示...
然后、让 R312/R316/C222/C225 -> NC、用 BW = 20MHz 的探针 L25 (SW)和 C215 (GND)、过冲类似这样...(216.6mV)
同样、R312/R316/C222/C225 -> NC、探针 L25 (SW)和 C215 (GND)(BW = 500MHz)、过冲类似这样...(1.497V)
如果 BW = 500MHz、过冲大于0.5V、可能 会导致过多的 EMC、我应该对此进行扭曲吗？
尊敬的 Emmanuel：
感谢您的大力支持。
按如下所示更新测试结果。 我们发现、当我们使用500MHz 带宽时、过冲为1.497V、我们担心这可能会影响 EMC 测试。
您是否愿意分享一些经验和建议？
谢谢。
1、 优化探头
2、 移除 R312/R316/C222/C225，探针连接到 C215 (GND)和 L25 (SW)，带宽= 20MHz，过冲波形(216mV)
3、 移除 R312/R316/C222/C225，探针连接到 C215 (GND)和 L25 (SW)，带宽= 500MHz，过冲波形(1.497V)
