[参考译文] UCC28950EVM-442：如何测量低侧 MOSFET ID 和 VDS 波形

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器件型号：UCC28950EVM-442
主题中讨论的其他器件： UCC28951-Q1、 UCC28950

大家好、

我的客户尝试测量 UCC28950EVM-442。

他希望测量 Q3 的 VDS 和 ID 波形。

他使用 tex。 P5205A 差分信号经证实可测量 VDS。

我想他抬起排水端子并将导线连接到电路板上、然后使用电流探头。

但输出负载增加、然后 FET 断开。

我对他说、

1、主 GND shoud 最低为低电平。例如电源单元与 EVM 之间的短长度和低 AWG GND 线

2.应使用短接和低 AWG GND 线进行电流测量。

还有其他注意事项吗？

他还拥有 UCC28951-Q1样片 IC。

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2408790 points

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你好，Doi-San

可以小心地进行测量。当客户将电流探头置于 MOSFET 的漏极电路中时、通过电流探头的环路必须尽可能短。这一点非常重要、因为环路会向 MOSFET 漏极电路添加一些电感、并在开关期间导致 VDS 尖峰、而 VDS 尖峰可能会变得足够大、从而使 MOSFET 雪崩并损坏 MOSFET。

MOSFET 电流也可以通过查看变压器初级电流来测量-该电流在 Q1/Q3和 Q2/Q4路径中交替流动- Q3中的电流只是变压器初级电流的一半。只需断开 T2-pin3的连接、然后在此处插入电流测量环路。该位置对增加的电感不太敏感。

此致
Colin

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2408790 points

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大家好、Colin-San、

客户取消执行电流测量。

并确认输入短路线和主 GND。

但 MOSFET 在重负载下仍会损坏。

该板出现问题。

但客户比您访问过日本客户更聪明。

如果他将 IC 更改为 UCC28951-Q1、他可以期待得到良好的结果吗？

此致、

H.DOI

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2408790 points

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你好，Doi-San

选择 UCC28950和 UCC28951-Q1之间的应用差异将在 www.ti.com/.../slua853.pdf 上的应用手册中讨论。
如果客户愿意、当然欢迎尝试使用 UCC28951-Q1器件、但老实说、在这种情况下、我不认为这会有太大的影响。但是、如果他们决定尝试使用 UCC28951-Q1、则只需从 UCC28950EVM-442获取控制器卡、拆焊 UCC28950控制器 IC 并将其替换为 UCC28951-Q1控制器即可。无需其他更改。此过程在 www.ti.com/.../sluubj5.pdf 中进行了说明。请注意、sluubj5是指稍微不同的 EVM、但控制卡与-442 EVM 中的控制卡相同。

如果您认为客户的-442 EVM 损坏超出维修范围、那么最好的解决方案可能是获得一个新的解决方案。

此致
Colin

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