[参考译文] LMG3410-HB-EVM：抑制热量的理想选择 LMG3410R070子卡

您好 Satoshi、

您的情况下的热电感器可能与以下原因有关：
该电感器2300HT-151-H-RC 的饱和电流为7.5A、其数据表如下所示。 在5A 平均输出电流加上纹波的情况下、磁芯可能会饱和。
www.bourns.com/.../2300ht_series.pdf
2.较高的均方根电流将增加绕组损耗，从而增加绕组温度。
为了解决该问题、我们建议您在此处更改不同的电感器、或增加开关频率以降低纹波电流。 100kHz 是一个很好的试验。 100kHz 时、电感器温度接近100C。

很难使用此 EVM 来测量高侧 GaN 漏极电流、因为要实现低环路电感、GaN FET 和直流总线陶瓷电容器放置在靠近电路板的位置。 在 EVM 的电源环路中没有空间放置分流电阻器。
如果您想设计一个电路板来评估器件漏极电流、我建议您：
分流电阻器可与低侧 GaN 串联、但会增加电源环路电感并略微影响 GaN FET 的性能。
2.要使用电流分流器测量高侧 GaN 漏极电流、请务必使用隔离式探针。 还需要高带宽来捕获高 di/dt
3.如果您想使用 rogowsgi 线圈探头，请确保带宽足够高。
4.如果您想检查硬开关条件下的开关波形、带电流分流器的升压转换器中的低侧 FET 可以提供相关信息。 与测量降压转换器中的高侧 GaN EFT ID 相比、测量电流更容易。

谢谢！

您好 Satoshi、

您可以参考图中所示的测试条件。 11-13.

如果您有更多问题、请告诉我。

谢谢、

宾姚

你好，Satosi-San，

对于添加分流电阻器的第一个问题：

内部铜层2还具有用于将器件源极连接到 GND 的铜。 如果您想切割铜、还需要切割内层2中的铜。

需要在低侧 FET 和总线电容器之间添加分流器、而不仅仅是 GND 端子。 所指向的位置仅切断 FET 源与 GND 端子之间的连接、如果插入分流器、则不会提供低 FET 电流信息。

3.这种方法(切割铜并插入分流器)会将较大的寄生电感引入电源环路、从而导致较大的开关过冲/下冲。 结果将不会是 GaN 的真正/最佳性能。 建议使用良好的布局来构建新的 PCB、以包含电流分流器

对于第二个问题：

您突出显示的端接连接到 PGND。  

如果您有更多问题、请告诉我。

谢谢、

宾姚