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器件型号：TPS709 你(们)好
我将在项目中使用 TPS70919DBVR 、我看到负载和压降；最大压降为1.5V、TPS70912器件的典型值为~1000mV、
位 tPS70918压降未在我找到的数据表中进行规格描述，请提供帮助。
谢谢
黄锦华
您好、JC、
也许我可以帮助您澄清问题。 当输入电压为3.3V 时、其压降电压如图9所示。 在125C 和150mA 的 TJ 负载下、压降为1400mV。
因此、当3.3VIN-1.4V = 1.9V 时、即使在150mA 的满负载电流下、您也有100mV 的裕度。 您可以将 VDO 视为等效电阻、这意味着如果 VDO 在150mA 时为1.4V、则下降的有效电阻为9.33欧姆。 如果负载为20mA、这意味 着 LDO 由于其内部电阻而仅下降186mV、因此必须调制导通 FET 的栅极以额外降低1.313V、从而将1.8VOUT 从3.3VIN (3.3-1.313-0.186=1.8)正确调节。
这有道理吗？
