[参考译文] LM5108：驱动器故障

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1188492/lm5108-driver-failure

器件型号：LM5108

您好！

我目前正在为 FOC 控制的 BLDC 电机设计电源控制 PCB。电机的三个相位由三个 LM5108耦合至6个 MOSFET (每相1个 LM5108 + 2个半桥 MOSFET)供电。 PWM 由同一电路板上的微控制器生成。

我们在许多电路板(至少25个电路板)上遇到了 LM5108器件的多次故障。我在 MOS 关断期间测量了 HO 和 HS 引脚上的负瞬态(-10V)、这些瞬态可能与开关时放电到驱动器中的 MOS Ciss 电容器+电机线圈相关。由于 HO 引脚的额定负电压达到 HS-0.3V、我怀疑这是我的故障原因。

我计划在 HO 和 LO 引脚上添加串联电阻以减缓电流放电。我还可以在 HO 和 VDD 以及 HO 和 HS 之间添加 schottcky 二极管(LO 引脚相同)。可以确认我没有错过这里的任何东西吗？我已经包含了布局和原理图、因为它可能会有所帮助。

PS：在最近的测试中、将 HO (引脚4)连接到 R1的子层(蓝色)路由熔化并充当保险丝。您是否认为过孔/轨道尺寸过小(过孔为0.15mm 钻孔、直径0.5mm、轨道为0.250mm)？我尝试尽可能遵循数据表说明。

提前感谢您提供的任何帮助！

此致、

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 1142300 points

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尊敬的 Maxime：

感谢您对该部件的关注。

在 HO 至 HS 和 HS 至 VSS 之间添加肖特基二极管有助于防止负电压瞬变。您无需在 HO 和 VDD 之间使用二极管。增大串联电阻也会有所帮助。

我认为您也可以从布局中获得改进。您可以以数据表中的布局为例。您应该尽量扩大布线和过孔。扩展布线和过孔可降低电感、从而减少您遇到的过冲量。我认为、也可以将 HO 和 LO 布置在更靠近晶体管栅极的位置。尤其看起来、如果晶体管位于驱动器 IC 下方、HO 可以采用更直接的路径连接到晶体管。

如果您有任何疑问、请告诉我。

此致、
Edthan Galloway

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 1142300 points

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非常感谢您的回答。我将尝试在新设计中实现所有功能。

关于肖特基二极管，我是否必须注意任何特定参数？我猜、恢复时间相对较短、正向压降较低、能够让电流过一个相当大的电流(我会说至少一安培)。

此致、

Maxime

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 1142300 points

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尊敬的 Maxime：

是的、需要快速恢复时间和低正向压降。 1安培电流听起来正好满足您的需求。

此致、
Edthan Galloway

0 admin 1 年多前

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好的、我将尝试所有这些。再次感谢您的帮助！

此致、

Maxime

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