[参考译文] WEBENCH®︎工具/LM5118：LM5118功率耗散

尊敬的 Kuan Wei：

我认为 webench 考虑了 LM5118内部的以下损耗：

(1)栅极驱动电流：Igate=2 x Qg x Fsw、其中 Qg 是每个 MOSFET 的总栅极电荷、而 Fsw 是开关频率
(2) VCC 稳压器：它是一个 LDO、其输入电流为 Igate、因此总损耗= Vinmax x Igate
(3)其他 IC 功耗= Vinmax x IQ、其中 IQ 是 IC 静态电流。

因此、总 IC 功耗为 Vinmax x (Igate +IQ)。 由于 Vinmax = 60V、因此 IC 功耗可能很高(在本例中为1.8w)。

为了降低损耗、您可以采用外部线性电路(NPN 基极跟随器、基极处有10V 齐纳二极管、发射极连接 VCC 引脚、集电极连接至 VIN 引脚、并使用大电阻将 VIN 馈入10V 齐纳二极管)。 这将关闭内部 LDO、IC 损耗将仅限制为 Vinmax x Iq。 如果您的系统具有10V 电源、您可以将其连接到 VCC 以节省上述线性电路。

希望这能澄清。

应用工程学 Yohao Xi

尊敬的 Kevin：

类似于所附的。  选择80V 200mA NPN。  齐纳二极管也可以是11V。  可能需要在 be 两端使用影子二极管来保护 be 结。

谢谢

Youhao