[参考译文] BQ76930：霍尔效应电流传感器连接- SRN 或 SRP

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器件型号：BQ76930
主题中讨论的其他器件：BQ76200

您好！

我计划在高侧使用霍尔效应电流传感器、而不是分流电阻器以及运算放大器、以将输出降低到 bq769x0的 SRP/SRN 限值、从而进行电流感应。

根据数据表、我认为 bq769x0的 SRN 和 SRP 引脚的最大可测量范围为400mV。

数据表显示 SRN 和 CCrange 的最小值和最大值典型值为-200mV、+200mV、SRP 为-10mV、+10mV。

所以；

我计划将电流传感器的输出降低至-200、+200范围、但应该将其连接到哪个引脚？ SRP 接地、传感器连接 SRN？

此外、我还计划使用具有单独充电和放电路径的外部高侧 nfet 驱动器(bq76200)。我是否应该使用双向传感器进行充电电流测量(并将放电路径的范围减小到0 - 200mV)或忽略充电状态(我认为仅适用于充电的 SCD 和 OCD 保护)电流检测？

谢谢、

Oğuzhan μ A

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2496895 points

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您好、Oguzhan、

我们没有将霍尔传感器连接到该器件的经验、但我可以看到它如何提供一些优势-更低的功率损耗和可能更高的精度。您建议的连接听起来正确、但您需要确保电路的输出为 ADC 提供预期电压。

对于使用单独的充电和放电路径、我随附了一份文档、该文档可能有助于突出显示潜在问题并提供一些建议。这些示例使用的是低侧驱动器、但可能仍然适用。

/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/196/Split_2D00_path_2D00_load_2D00_detect.pdf

此致、

Matt

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2496895 points

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Matt、您好！

感谢您的快速响应和文档。我想我将使用单独的放电/充电路径、并仅在放电路径上使用传感器。

但请帮助我澄清一点(也许我认为根本是错误的)；

数据表显示 SRN 范围为-200 -+200mV、SRP 为-10 -+10mV。

数据表上的典型应用还显示了如下连接：

据此、SRN 引脚上的电压应更接近接地(0mV)。电流变为 Rsns、这会产生电压差(欧姆定律)、因此 SRP 与接地相比应更加偏离(我假设在正极侧)。

但数据表上显示的 SRP 范围更有限。我在这里错过了什么？

此致、

Oğuzhan μ A

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2496895 points

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您好 Oğuzhan、

SRP 引脚应连接到 VSS、SRN 引脚上的电压将根据电流的幅度和方向而变化。 SRN 引脚应连接到 PACK-。当没有电流流动时、这些电压将是相同的。

我认为这种困惑与 VSS 有关。 VSS 也称为 BATT-、它与 PACK-不同。这里有一个关于这个主题的很好的讨论： e2e.ti.com/.../585790

我希望这有助于澄清。

此致、
Matt

电源管理（参考译文帖）

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[参考译文] BQ76930：霍尔效应电流传感器连接- SRN 或 SRP