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[参考译文] LM7480-Q1:上电问题

Guru**** 1142300 points
Other Parts Discussed in Thread: LM7480
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1320501/lm7480-q1-power-up-issue

器件型号:LM7480-Q1
主题中讨论的其他器件:LM7480LM74800-Q1

您好!

下面的电路有问题:

输入电压范围9 - 65V

功率:36W

输入电容 Cin:0.5uF

输出电容 Cout:10.047uF (在 LM7480和开关电源之间)

浪涌限制电容 Cdvdt:2x 4.7nF

Q1输入寄生电容 Ciss:1044pF

当使用100nF 的电荷泵电容器时:  

(Vs:黄色| CAP:蓝色)启用之前和之后

47nF 的电荷泵电容器:  

使用147nF - 220nF 的电容器时、 电路的工作电压为30V。

有什么建议吗?

注意: 当 R1短接时电路工作正常

谢谢

亚辛

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    尊敬的  Yassine:

    电荷泵电容器必须至少为100nF。

    您的电路中使用的 C1值是多少 ?

    请分享您的原理图以供审阅。  

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    您好 Praveen:

    感谢您的反馈。
    C1为1uF

    我们与 TI 签订了 NDA。
    我可以私下分享原理图吗?

    谢谢。

    亚辛

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    尊敬的  Yassine:

    是的、请接受我朋友的请求、您的朋友可以在私聊中分享原理图。  

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    谢谢 Praveen、
    我分享了原理图。

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    尊敬的  Yassine:

    感谢您分享原理图。 您能否在原理图中分享 Q1和 Q3的 FET 器件型号?

    为了使电荷泵电压保持稳定、您必须使用电荷泵电容器、该电容器的电容至少是 LM74800-Q1控制器驱动的所有 Ciss 总和的10倍。  

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    您好 Praveen:  

    Q1: IPB100N12S3-05
    Q3: IPBE65R230CFD7AATMA1

    带有 Q1的电路工作正常、问题在于 Q3。
    我们已经 在电荷泵上安装了220nF、该器件应包含数据表要求、但问题仍然存在。

    谢谢。

    亚辛

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    尊敬的 Yassine:

    感谢您分享 FET 器件型号。 我觉得 CCAP 电容器选择很好。

    从共享的波形可以看到、由于使用了10k 电阻器、电荷泵电容器电压在启动期间最初无法斜升。 降低 R21值应该可以解决此问题。 我们需要检查可以将电阻减小到多低。  

    • 请 与捕获的 Vin、VCAP、VS、HGATE 和 VOUT 信号共享启动波形。  
    • 请分享 R21、C25、D13的元件器件型号。
    • D11是否已组装? D11是否在此启动问题行为中起作用、即填充 D11是否可以解决问题?
    • 此电路是否针对200V 未抑制负载突降而设计、或者输入端可能出现的最大瞬态电压是多少?
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    您好 Praveen:

    感谢您的反馈。

    您能否确认 Ciss 是否应该高于 e2e 线程之一中提到的10xCiss 或10x(CdVdT)?  

    我们已尝试安装4.7k Ω、但最终会损坏 IC。

    安装 D11解决了问题。 为了避免对 OV 电路产生影响、将 VSNS 与 Vs 隔离作为临时修复。 但我们希望找到该问题的易于理解的解释、因为没有 D11的电路与数据表推荐的电路相匹配。

    我很快将分享这些器件型号。  

    谢谢

    亚辛

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    Praveen、您好!以下是请求的器件型号:

    R21: ERJ-14NF1002U

    C25: CGA5L2X7R2A105K160AA

    D13:SZ1SMB5944BT3G


    已添加:请求的屏幕截图  

    输入电压12V,电荷泵电容器:100nF

    黄色: Vs |绿色:帽|红色: Dgate |蓝色: Hgate

    绿色: 输出|红色: Dgate |蓝色: Hgate

    谢谢。

    亚辛

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    填充 D11解决了此问题。

    我可以问一下 D11连接在哪里吗? 我的问题和 Yassine 是完全一样的。

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    尊敬的 Jiri:

    在下图中、我提到的 D11是 D2。  

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    尊敬的 Yassine:

    我想知道可施加到您的电路输入端的最大瞬态电压、以便优化齐纳二极管并降低 R21值、从而解决该启动问题。

    如果是12V 电池、则根据 ISO 16750-Q1、未抑制负载突降期间的最大电压为101V。 因此、如果我考虑将101V 作为最大瞬态电压、我们可以减小 R21值(例如5k Ω)、并选择具有钳位电压的齐纳二极管、使101V 时 VS 上的电压小于60V、同时串联5k Ω 以限制电流。  

    我首先建议 您使用 R21 = 5k Ω 进行测试、并检查问题是否已解决。  

     

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    您好 Praveen、谢谢您的建议、填充二极管 D2确实有帮助。 我将公布测量结果和注释以供参考。



    在 VS 处没有 D2的电压将在2.5V 左右徘徊、永远不会达到与 Vin 类似的电平。

    无 D2:黄色: Vin (输入电压)|浅蓝色:VS |粉红色:VMID |深蓝色:Vout

     D2已填充:黄色: VIN |浅蓝色:VS |粉红色:VCAP |深蓝色:HGATE


    用 D2测量的迹线似乎与数据表 中的数据相匹配、特别是 VS 的形状与数据表中的图10-30相似。

    感谢您解决此问题!

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    根据此 TI E2E 主题(LM7480-Q1:防范 ISO7637-2和 ISO 16750-2):

    "当 HGATE 为高电平时、二极管用于在电源和 VS 引脚之间提供低阻抗路径。 如果没有它、电源和 VS 引脚之间就会有一个10k Ω 的电阻。 当需要低压运行(VS<5V)、此时 IQ 非常高并且10k 范围内的压降非常高时、该器件尤其有用。  "

    我们输入电压没有达到5V、所以我们假设不需要之前批次生产的二极管、也不需要填充二极管、也不需要更换10k 就可以让芯片正常工作。
    我将在安装5k Ω 后分享结果。 但有没有任何解释为什么它在某个板上工作,而不在其他板上工作。

    我想知道可以在您的电路输入端施加的最大瞬态电压,以便我们可以优化齐纳二极管并降低 R21值以解决此启动问题。

    此故障电路连接到48V 电池、根据设计-预期的最大瞬态电压为243V+103V 

    谢谢。

    亚辛

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    尊敬的  Yassine:

    在没有 D2的情况下启动失败的情况下、您可以看到 VS 卡在2.5V 左右、VCAP-VS 也没有达到预期的>12V。

    此处的原因可能还包括由 HGATE 和 DGATE 驱动的 FET 具有更高的栅极电荷。

    当 VCAP-VS 电压高于6V 时、将启用栅极驱动器、并启用 HGATE 和 DGATE。  如果 FET 具有更高的栅极电荷、则在启动期间打开 HGATE 和 DGATE 时、电荷泵电压将无法进一步累积。 只要 VCAP-VS 电压低于12V、电荷泵就会保持导通、因此 R1上的压降保持高电平、从而导致 VS 电压较低。  

    对于  243V+103V 的预期瞬态电压、请确保所选的齐纳二极管和 R1将 VS 引脚的电压钳位到大约60V。