[参考译文] LM7480-Q1：上电问题

尊敬的  Yassine：

电荷泵电容器必须至少为100nF。

您的电路中使用的 C1值是多少 ？

请分享您的原理图以供审阅。  

您好 Praveen：

感谢您的反馈。
C1为1uF

我们与 TI 签订了 NDA。
我可以私下分享原理图吗？

谢谢。

亚辛

尊敬的  Yassine：

是的、请接受我朋友的请求、您的朋友可以在私聊中分享原理图。  

谢谢 Praveen、
我分享了原理图。

尊敬的  Yassine：

感谢您分享原理图。 您能否在原理图中分享 Q1和 Q3的 FET 器件型号？

为了使电荷泵电压保持稳定、您必须使用电荷泵电容器、该电容器的电容至少是 LM74800-Q1控制器驱动的所有 Ciss 总和的10倍。  

您好 Praveen：  

Q1： IPB100N12S3-05
Q3： IPBE65R230CFD7AATMA1

带有 Q1的电路工作正常、问题在于 Q3。
我们已经 在电荷泵上安装了220nF、该器件应包含数据表要求、但问题仍然存在。

谢谢。

亚辛

尊敬的 Yassine：

感谢您分享 FET 器件型号。 我觉得 CCAP 电容器选择很好。

从共享的波形可以看到、由于使用了10k 电阻器、电荷泵电容器电压在启动期间最初无法斜升。 降低 R21值应该可以解决此问题。 我们需要检查可以将电阻减小到多低。  

• 请 与捕获的 Vin、VCAP、VS、HGATE 和 VOUT 信号共享启动波形。  
• 请分享 R21、C25、D13的元件器件型号。
• D11是否已组装？ D11是否在此启动问题行为中起作用、即填充 D11是否可以解决问题？
• 此电路是否针对200V 未抑制负载突降而设计、或者输入端可能出现的最大瞬态电压是多少？

您好 Praveen：

感谢您的反馈。

您能否确认 Ciss 是否应该高于 e2e 线程之一中提到的10xCiss 或10x(CdVdT)？  

我们已尝试安装4.7k Ω、但最终会损坏 IC。

安装 D11解决了问题。 为了避免对 OV 电路产生影响、将 VSNS 与 Vs 隔离作为临时修复。 但我们希望找到该问题的易于理解的解释、因为没有 D11的电路与数据表推荐的电路相匹配。

我很快将分享这些器件型号。  

谢谢

亚辛

Praveen、您好！以下是请求的器件型号：

R21： ERJ-14NF1002U

C25： CGA5L2X7R2A105K160AA

D13：SZ1SMB5944BT3G

已添加:请求的屏幕截图  

输入电压12V，电荷泵电容器：100nF

黄色: Vs |绿色:帽|红色: Dgate |蓝色: Hgate

绿色: 输出|红色: Dgate |蓝色: Hgate

谢谢。

亚辛

填充 D11解决了此问题。

我可以问一下 D11连接在哪里吗？ 我的问题和 Yassine 是完全一样的。

尊敬的 Jiri：

在下图中、我提到的 D11是 D2。  

尊敬的 Yassine：

我想知道可施加到您的电路输入端的最大瞬态电压、以便优化齐纳二极管并降低 R21值、从而解决该启动问题。

如果是12V 电池、则根据 ISO 16750-Q1、未抑制负载突降期间的最大电压为101V。 因此、如果我考虑将101V 作为最大瞬态电压、我们可以减小 R21值(例如5k Ω)、并选择具有钳位电压的齐纳二极管、使101V 时 VS 上的电压小于60V、同时串联5k Ω 以限制电流。  

我首先建议 您使用 R21 = 5k Ω 进行测试、并检查问题是否已解决。  

根据此 TI E2E 主题(LM7480-Q1：防范 ISO7637-2和 ISO 16750-2)：

"当 HGATE 为高电平时、二极管用于在电源和 VS 引脚之间提供低阻抗路径。 如果没有它、电源和 VS 引脚之间就会有一个10k Ω 的电阻。 当需要低压运行(VS<5V)、此时 IQ 非常高并且10k 范围内的压降非常高时、该器件尤其有用。  "

我们输入电压没有达到5V、所以我们假设不需要之前批次生产的二极管、也不需要填充二极管、也不需要更换10k 就可以让芯片正常工作。
我将在安装5k Ω 后分享结果。 但有没有任何解释为什么它在某个板上工作,而不在其他板上工作。

我想知道可以在您的电路输入端施加的最大瞬态电压，以便我们可以优化齐纳二极管并降低 R21值以解决此启动问题。

此故障电路连接到48V 电池、根据设计-预期的最大瞬态电压为243V+103V 。

谢谢。

亚辛