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[参考译文] LM5176：LM5176

admin
Guru**** 1989765 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5176
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1312745/lm5176-lm5176

器件型号：LM5176

您好、TI 团队、

请帮助查看随附的原理图、框图已随附。

如果您需要进一步说明、请告诉我。

  e2e.ti.com/.../SCH_5F00_AE170_5F00_PDU_5F00_01.01.pdf

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    TI__Guru**** 1989765 points
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    您好！

    感谢您使用 E2E 论坛。

    为了简化原理图审阅、您还可以共享输入了设计参数的快速入门计算器(可在产品页面上找到)：
    https://www.ti.com/tool/download/SNVC208

    此致、

     斯特凡

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    TI__Guru**** 1989765 points
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    Stefan、您好、

    请查找 here.e2e.ti.com/.../7750.LM5176-Buck_2D00_Boost-Quickstart-Tool.xlsm

    e2e.ti.com/.../7750.LM5176-Buck_2D00_Boost-Quickstart-Tool.xlsm

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    TI__Guru**** 1989765 points
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    您好！

    对原理图的一些评论和建议：

    • 在 SW1和 SW2上添加缓冲器(随后可以在必要时(例如由于 EMI)进行填充而无需对布局进行更改)
    • 在 MOSFET 栅极信号线路中添加串联电阻(然后可在需要时(例如由于 EMI)进行更换、而无需更改布局
    • 如果未使用 BIAS、则连接至 GND 或 VIN
    • 考虑在分离 AGND 和 PGND 的布局中、使用散热焊盘上的连接
    • 斜坡电容应该是快速入门计算器的下一个较低值-原理图中的值要低得多
    • 原理图中的输出电容与 快速入门计算器中的值不匹配
    • 当使用数据表中的输出电容时(3倍47uF、假设这是陶瓷电容器-因此、使用直流偏置有效电容时、将是~ 75uF)、系统将无法稳定、相位裕度为14度

    此致、

     斯特凡

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    TI__Guru**** 1989765 points
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    Stefan、您好、

    您能否共享电子邮件 ID 来共享该原理图布局文件、因为我不能公开共享该数据。  

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    TI__Guru**** 1989765 points
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    您好！

    您可以使用此论坛的"邮件"功能。 只需将鼠标悬停在我的姓名上并选择" 发送私人消息"。

    还请在此处放置注释-以便我知道要查看私人消息-否则可能会在几天内错过。

    此致、

     斯特凡

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    TI__Guru**** 1989765 points
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    您好！

    我知道有一件事,我不知道该怎么说。 如上所述、还请在此处注明已发送私人消息。

    对于布局：

    连接具有开尔文连接的电流检测电阻器

    为 LM5176构建一个 AGND 岛(AGND 信号)
    -通过散热垫连接 AGND 和 PGND
    ->避免高电流在 AGND 区域流过 GND


    Q2：SW2是 HDRV2的返回路径-减少电流环路面积-将两根导线相互叠放或彼此靠近放置
    Q6：更好、但也可以改进


    VCC 电容器与 LM5176相差很远


    原理图：
    到目前为止似乎尚未考虑原理图反馈

    此致、

     斯特凡