[参考译文] LM3478：发热问题

尊敬的 Saiprakash：

感谢您使用 E2E 论坛。

一般而言、需要预计一些发热、因为 SMPS 中始终存在一些损耗。

您能否检查效率-这将提供更多详细信息。

加热多少？

您的输出电压是否稳定？

此外、检查输入电压是否稳定、以便您的电源能够正确提供所需的电流。

C26应位于 R14的另一侧。

此致、

 斯特凡

Stefan、您好、

感谢您的答复。

输入电压- 15V 恒定、与10.5V 相同

两个输入端的输出电压为11.9恒定。

我的电路板升温高达60°C、而散热器升温高达70°C。

如何检查效率？ 这是我第一次设计电源。  

布局是否合适？

此致、

赛普拉卡什

Seiprakash、您好！

效率=(I_OUT * V_OUT)/(I_IN * V_IN)

若要检查布局、还需要提供带有参考标识符的图像、以标识元件的位置。

接地区域有一个相当大的孔、这可能会对电流返回路径产生负面影响。

此致、

 斯特凡

Stefan、您好、

以下是不同模式的效率、

降压模式

输入电压为10.5、输出电压为11.9、其中92%

升压模式

Vian 为15.04，Vout 为11.9，占87%

对于 SEPIC 而言、这种有效性是否有用。

请找到随附的布局图像、

此致、

Saiprakash.C.J

尊敬的 Saiprakash：

该效率处于预期范围内(正如您在该参考设计：TIDT346.PDF 中看到的)

我认为布局看起来不错。

此致、

 斯特凡

Stefan、您好、

大家好！

我想知道一些东西、现在我将输入2安培的负载。 电路板加热到80、结温达到103度。 这是意料之中的。

此致、

Saipraksh.C.J

您好 Saiprakash：

凭借24W 的输出功率和87%的效率、系统(主要是 FET)会消耗大于3W 的功率。
在这种情况下、我预计温度会上升大约80度甚至更高。

此致、
哈利

哈利、您好！

大家好！

感谢您的答复。

因此、预计会产生热量、我必须找到一种正确散热的方法？

此致、

Saiprakash.C.J

此外、是否可以通过选择更好的 MOSFET 来降低这种热量？如果是、您能推荐我使用更好的 MOSFET 吗？

您好 Saiprakash：

FET 中的损耗主要有两种类型：开关损耗和传导损耗。

要降低开关损耗、您可以尽可能降低开关频率。  
这可能会导致更高的输出电压纹波。
因此、您需要在此处找到一个很好的折衷方案。

为了减少传导损耗、请选择具有极低 Rdson 的 FET。
请理解、我无法提供特定器件或供应商的建议。

 此致、
哈利

您好

我还有另一个问题、即电感器比 MOSFET 发热很多。 电感器是指 使电路板比 mosfet.inductor 器件加热的电感器(DRQ-127-6R8-R)

此致、

赛普拉卡什