大家好、我有一个基于 webench 解决方案的原理图、 我已稍作修改、只想检查是否一切正常。 它适用于6-36V 输入和12v 6A 输出。 
我要问的1个问题是关于输入和输出电容器。 是否需要大型铝电容器？ 我在数据表中看到他们没有将其放入示例应用程序、但他们添加到了 webench。 我将其用作为该电路提供 VIN 输入的馈电：
它已经具有一个较大的220uF 电容器。 我可以更改降压/升压转换器上的铝合金吗？
谢谢大家！
嗨、Bryce
谢谢！
您好！
感谢您的帮助、非常感谢！
Matthew、您好！
请查看我的后续评论如下。
1.好的、总共4 x 10 μ F？ 还是大于4？
->我认为4pcs 是可以的。
2.你会把它放在哪里？ 在原理图中所示电容器的 SW 引脚和引脚2之间？
->请参阅下面的示例。
3.我在其他地方有电流限制,我计划跳过这个?
->还行吧。
4. 目前我有以下的布局。 我从布局指南开始、只有输出以不同的角度消失、这看起来是可以的吗？
->输出电容对于升压模式非常重要,您能分享每一层的图片吗?
5. 什么是 MOS？ 是指 MOSFET 吗？ 如果是、我应该更改哪一个？ 这些是 TI 在 webench 中建议的内容。
->它指降压侧 tr、还可以、但如果您有更好的选择、使用更小的 MOSFET/MOSFET 会更好 toff。
BRS、
布莱斯
布莱斯、您好！
谢谢！
Matthew、您好！
2.由于开关电压尖峰、建议对 RC 缓冲器使用50V 额定电容器。
5. IAUC41N06S5L100外观更佳,具有较小的 TR/TF 和 Qg。
4.以下是我对布局的评论:
(1)在 L1上放置更多的 GND 覆铜平面和过孔、再放置两个陶瓷电容器、以减少降压开关环路。 
(2)将引导电容器靠近引脚向外移动。
(3)在 L1层上放置更多的 GND 覆铜平面并缩短 AGND 布线以为 Cout 电容留出空间。 尽可能将 Cout 电容移至靠近 Vout 和 GND 引脚的位置、以减小升压开关环路。
(4)加宽 VCC 迹线。
(5)建议在底层放置另一个 Vout 和 GND 层、并在过孔下方再添加一个0402 0.1uF 电容。
(6)您可以在布局指南中查看更多详细信息。 www.ti.com/lit/an/slvaer0b/slvaer0b.pdf
BRS、
布莱斯
布莱斯、您好！
感谢您的全力帮助。 我想我已经实施了你有 saidf 的一切,但仍然有几个困惑在我的部分。 我将在下面附上新的布局和原理图、以便向您展示我所做的工作。
这里是我的设计文件、我拥有全部4个层、即透明视图、3D 视图和原理图。 再次感谢您的帮助！ 我想我们就在附近！
3D
Tranp
顶层
L2 -接地
L3 -包含 AGND
底层
原理图
Matthew、您好！
请查看我的评论、
输入电压上有2个额外的陶瓷电容器、我刚刚将它们设置为10uF、就像其他输入电容器应该设置为0.1uF 吗？
->建议在内环路多增加一个0.1uF、如下所示。
2. 英飞凌的 MOSFET 可以替代两个 MOSFET ? 我现在已经交换了两次、如果不可以、请告诉我！
我认为这是可以的。
3. 我对 PGND 和 AGND 环路感到困惑。 您发送的链接会将它们连接到 IC in 1图像上、然后在另一个图像上用过孔分隔、因此我真的不知道这个 AGND 环路应该是什么样的！
->该 EVM 对所有信号引脚使用单独的 AGND、并连接到 VCC 电容器接地端的 PGND。 电流连接也适合我、您可以在 L3层加宽 AGND 迹线。
4.在 MCU 附近放置此元件是否会导致问题？ 这是遥远的:
->我们认为如果 MCU 的地线是明确的,这是可以的。
5.建议对 SW1布线和 DR1L、DR1H 布线使用20mil。
BRS、
布莱斯
布莱斯、您好！
很好、我移除了其中的2个10uF 电容器、并向您发送了朋友请求。
TPS55288看起来不是汽车级、但很遗憾、这是我的要求。 无法在 TPS552882上启用吗？ 例如： 
谢谢！
Matthew、您好！
是的、可以采用上述方法。 更简单的方法是使用 MCU 的 GPIO 直接向 EN 引脚输出高/低电平电压。
如数据表所示、关断电流小于10uA。
BRS、
布莱斯
