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器件型号:TLV803 在从 MΩ 到大规模生产的各阶段芯片供应期间、芯片引脚1和3之间的内电阻约为0.7 μ F、而芯片自身的消耗量则对应于规格中的典型值、并且是6 -12 µA。 在最近交付的产品中、端子1和3之间的电阻约为18MΩ Ω、这提供了其自身消耗约150nA 的 tc。 自消耗电流的如此低的值提供了与电路设计参数的偏差、因此电路节点出现故障 是电路节点的原因
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在从 MΩ 到大规模生产的各阶段芯片供应期间、芯片引脚1和3之间的内电阻约为0.7 μ F、而芯片自身的消耗量则对应于规格中的典型值、并且是6 -12 µA。 在最近交付的产品中、端子1和3之间的电阻约为18MΩ Ω、这提供了其自身消耗约150nA 的 tc。 自消耗电流的如此低的值提供了与电路设计参数的偏差、因此电路节点出现故障 是电路节点的原因
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