这是先前有关同一问题的主题的后续内容。 我已经能够将充电选项寄存器(0x12)的位1从"1"更改为"0"、并观察到前面提到的相同问题。 在某些主板上、当我进行电源模式转换(打开/关闭交流电源或插拔电池)时、交流电源路径关闭、显然这不是由交流过流问题引起的。 我想帮您弄清楚其他哪些因素可能导致电池充电器发生这种情况。
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
尊敬的 Christian:
我更改了充电选项寄存器位、似乎修复了两块电路板上存在问题的症状。 位8从默认值"1"更改为"0"、位7从默认值"0"更改为"1"。 位8禁用了高侧 MOSFET 短路保护、位7会增大低侧 MOSFET 的比较器阈值。 我将测试更多型号、以查看为了防止交流电源路径关闭、需要进行哪一种(或两种)更改。 我想帮助理解为什么需要将这些寄存器设置中的一个或两个设置从默认值更改为正常、以便充电器能够在我们的应用中可靠地运行。 假设这种行为对于其他客户而言不常见、我在设计中所做的事情可能会导致某些电路板上的 IFAULT_HI 比较器或 IFAULT_LOW 比较器测试间歇性失败。 我很高兴我可以做出寄存器更改、似乎可以修复症状、但真的想更好地了解根本原因。
谢谢!
兰迪·霍姆贝格
您好、Randy、
您是对的。 RDS (on)也可能导致此问题。
MOSFET 阈值测试依赖于 RDS On 处于某些特定范围[/报价]请参阅部分 9.2.1.2.9 BQ24725A 设计指南
上述公式可用于确定 IC 检测到的电压降。 总压降必须低于高侧短路保护阈值、以防止充电器关闭。(750mV)。