This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ25798:IINDPM

Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25790, BQ25798, BQ25798EVM
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1223984/bq25798-iindpm

器件型号:BQ25798
主题中讨论的其他器件:BQ25790、、

1) 1)是否可以在充电和输入电源开关期间通过更改 ILIM_HIZ 引脚的电阻来更改 IINDPM 的值?
  在后台、我们希望通过硬开关单独设置 IINDPM、因为即使在 SOC 模块未激活的情况下、VAC1和 VAC2也会输入不同的电压。
  如果可以从下方红色框中所示电路中的两个不同输入源硬开关 IINDPM、请提供您的意见。
  (我假定如果两个输入都存在、IINDPM 将由软件设定)。

2) 2) 如果输入电源使用两个不同的电源并在单个输入电流限制下运行、建议使用 IINDPM 以匹配以下哪种条件?
  VAC1:USB 连接、5V/2.4A
  VAC2:WPT 电源、12V/1A
  请注意、假设在充电期间启用 ICO 功能。

3) 3) 如果在启用 ICO 功能之后的中间位置更改负载状态(EN_ICO = 1、ICO_STAT_1:0 = 2h)、那么自动调整 IINDPM 以防止适配器过载是否正确?
  如果 EN_ICO=1不足以实现自动调节、请告知我们何时设置 FORCE_ICO =1、以防止负载变化期间过大的电流消耗。

此致、
香川市

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kagawa:

    关于1、在上电时读取 ILIM_HIZ 引脚电压(VBUS 升至 VBUS_UVLO 以上后)、然后不再读取。  因此不能使用同一电源动态更改电源。  如果存在两个电源、我认为您的原理图是无效的。  是否已经过测试?

    关于2、当 VACx 关断其 xFET 且 VACy 导通 yFET 时、会再次读取 ILIM_HIZ、因为 VBUS 会短暂降至零、即使 VACx/y 上都存在电压。 我建议调整5V/2.4A 的 ILIM_HIZ 电阻分压器的大小。  然后添加另一个将 FET 接地的电阻器。  该 FET 的栅极通过调整后的电阻分压器连接到 VBUS、以便 FET 仅在输入源为12V 而不是5V 时导通。  这2个电阻器的并联组合可减小等效底部反馈电阻、以将 IINDPM 设置为1A。   

    关于3、如果启用、当输入电压下降到 VINDPM 时、ICO 会自动减少 IINDPM。  ICO 的目标是防止进入 VINDPM 调节。  很少需要 FORCE_ICO。

    此致、

    杰夫

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 JEF-SAN:

    当 EN_ACDRV1和 EN_ACDRV2都关闭并且 VBUS 电压设置为0V 时、我能够在 EN_ADC=0时按预期切换 IINDPM、但当 EN_ADC=1时、IINDPM 不会从输入上电时的值改变。

    我要在 EN_ADC = 0的情况下继续评估。 您能否告诉我 ILIM_HIZ 引脚读数和 EN_ADC 设置状态之间是否存在关系、以防万一?

    此致、
    香川市

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kagawa:

    可以。  充电器可使其中一个 ADC 通道在上电时测量 ILIM_HIZ 电压。  如果 EN_ADC = 1、则不会发生这种情况。  很高兴听到这对你有用。

    此致、

    杰夫  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 JEF-SAN:

    1) 1)在以下条件下使用强制 D+/D-检测、是否适合执行 FORCE_Index=1?

      作为背景、
      VAC1:USB_DCP 供电、5V/2.4A
      VAC2:WPT 供电、12V/1A

      如果以这种方式同时连接这些器件并从 VAC2侧为其充电、则当 VAC2的电源停止时、USB 充电将从 VAC1完成、但 IINDPM 不会大于1A。 (ILIM_HIZ 引脚具有设置为2.4A 的电阻器。)

      在这种情况下、FORCE_Index=1将导致 IINDPM 大于1A、这是预期的最大输入电流。
      这种用法适合使用强制 D+D-检测吗?
      此外、如果您能为我提供一个需要 FORCE_Index=1的用例示例、我将不胜感激。

    2) 2) 请告诉我在以下条件下为 IINDPM 设置的规格。
      VAC1:USB_SDP 电源、5V/VAC1:500mA
      VAC2:WPT 电源、12V/1A
      在本例中、当我执行以下步骤(1)至(3)以切换充电时、IINDPM 在 VAC2充电时变为500mA。


    我认为从 VAC2充电时、VBUS STAUTS 被判定为"非限定适配器"、因此 IINDPM 与先前的值没有变化。  是这样吗?

    3) 3) 每次从 VAC2充电时、我都要设置 IINDPM = 1A。 我想征求您对以下哪一(1)或(2)更适合用于软件更改寄存器设置的时间的看法。
    (1)当 AC2_Present_STAT =1时、设置 IINDPM = 1A
    (2)当 VBUS STAUTS 为"非限定适配器"时、设置 IINDPM = 1A。
    问题是在为 USB_DCP 充电时是否将设置 IINDPM = 1A。

    此致、
    香川市

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kagawa:

    关于1、D+/D-检测仅适用于连接到 VAC1的电源。

    关于2、是的。

    关于3,这似乎是合理的。

    此致、

    杰夫  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 JEF-SAN:

    让我再次检查一下上面的问题。

    1) 1) 在以下条件下使用强制 D+/D-检测、是否适合执行 FORCE_Index=1?
       VAC1:USB_DCP 供电、5V/2.4A
       VAC2:WPT 供电、12V/1A

    3) 3) 每次从 VAC2充电时、我都要设置 IINDPM = 1A。 以下哪一(1)或(2)是以软件方式更改寄存器堆叠的合适计时?
    (1)当 AC2_Present_STAT =1时、设置 IINDPM = 1A
    (2)当 VBUS STAUTS 为"非限定适配器"时、设置 IINDPM = 1A。

    此致、
    香川市

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kagawa:

    首先、D+/D-仅适用于 VAC1。

    对于3、任一种方法都可行、但我会等待"不合格的适配器"。

    此致、

    杰夫

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 JEF-SAN:

    我正在考虑将一个支持 HVDCP、BQ25798或 BQ25790的 USB Type-C 适配器连接到 VAC1、并以9V 或12V 的电压充电。
    在这种情况下、我们不需要像 CC 端口控制器这样的 IC 来检测 HVDCP、我们可以通过仅使用此 IC 将以下寄存器设置为1、以9V 或12V 的电压充电。 目前、我们已按照数据表中的 P.27所述对寄存器进行了设置、但电荷不高于5V。
    如果以下设置不够、我们想知道是否有方法可以在充电时将 USB 的输入电压设置为9V/12V。

    HVDCP 充电设置:
    - EN_HVDCP=1
    - EN_HVDCP=1
    - EN_12V=1
    - EN_9V=1

    当前寄存器设置值:


    此致、
    香川市

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kagawa:

    这些设置就足够了。  然而、在 HVDCP 启动前、直流/直流转换器打开。  如果有大输入电流(通常大于500mA)流经、检测可能无法成功完成。  您是否可以移除 SYS 负载和/或关闭充电并重试?

    此致、

    杰夫

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 JEF-SAN:

    IINDPM 寄存器中显示的值与实际限制输入电流的阈值之间的百分比误差是多少?
    在后台、我在 BQ25798EVM 的 ILIM_HIZ 引脚上设置一个电阻器常数、以便 IINDPM = 1600mA、但 IINDPM 寄存器显示1580mA。
    我假设这是由电阻器中的误差引起的、但我已经通过使用这个常数从系统引脚向电子负载汲取电流、来检查 VAC1输入端的电流限制是否实际施加在1580 mA 上、 发现在实际测量中、限制施加在1490 mA 处、无法将电流消耗到寄存器中指示的1580 mA。 这不是 IINDPM 的操作。
    对于 IINDPM 操作、这是否正常、还是由于读取 IC 的内部 ADC 时出现错误?

    评估板连接状态:


    IINDPM 寄存器显示(IINDPM = 1580mA)


    ILIM_HIZ 引脚的电阻常数


    此致、
    香川市



  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kagawa:

    ILIM_HIZ 引脚电压根据 REGN 电压和电阻器容差而变化。  ADC 在上电时读取 ILIM_HIZ 引脚电压、并根据该电压设置 IINDPM 寄存器。  我们不规定 ADC 精度。    

    以下是由寄存器设置时 IINDPM 调节环路的精度。

    因此、您看到的变化是由于电阻器精度(符合规格)、REGN 精度(如果不处于压降状态、则符合规格)、ADC 精度(不符合规格)和 IINDPM 调节环路精度(符合规格)引起的。

    此致、

    杰夫

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 JEF-SAN:

    1. 按照以下步骤操作后、会在第二个输入电源连接处设置预期的 IINDPM。
    您能否说明原因?
    在此用例中、IINDPM 在首次插入和移除时不会比之前的值增加。 (以下流程中红色框的状态)
    充电器 IC 中是否有缓冲器根据连接到 ILIM_HIZ 的电阻值记住之前的 IINDPM 值?


    2. 执行以下过程时,寄存器值或 ILIM_HIZ 电阻的较小值可能不会设置为 IINDPM。 此行为是否是规范?


    3. 我们想知道当电源输入到 VAC2的时候是否有办法把 VBUS 电流设置成"不合格的适配器"以外的值。
    这样做的原因是、我们正在考虑在主机不执行任何操作的情况下将输入电流限制设置为固定的 IINDPM、而不是使输入电流限制与先前的值保持不变。
    例如、是否存在任何 VAC2识别"Unknown Adapter - 3A"的条件?

    此致、
    香川市

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kagawa:

    关于1、我重复了这个流程。  IC 的 ADC 在每次上电时读取 ILIM_HIZ 电压。  但是、如果 ILIM 寄存器之前已将电平从 ILIM_HIZ 引脚钳位到较低的值、则它会记住、并作为安全功能、会保留较低的设置。  为防止这种情况发生、主机可以在最后一次读取后切换 EN_ILIM。   

    关于2、按设计工作。  如果 EN_ILIM 位= 1、则在每次上电时使用 ILIM_HIZ 设置。

    遗憾的是、关于3、不能。  由于 D+/D-检测不适用于 VAC2输入、因此状态将始终需要未经认证的适配器。

    此致、

    杰夫

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 JEF-SAN:

    1. 哪个电源电压(ACDRV1、ACDRV2)用于提升和生成 ACFET1-RBFET1和 ACFET2-RBFET2?

    2、 目前在 VAC1/VAC2端子上已经观察到浪涌电流、如下面的波形所示、我们正在考虑调整外部 FET 的栅极电阻和电容器的常数、以抑制浪涌电流。
    我们正在考虑以下电路配置、但您能否说明根据 BQ25798的规范、栅极电阻器和电容器可耐受多少 μs 的时间常数?




    3. 如果按照问题2的配置安装电路图中的肖特基势垒二极管 D104和 D103,
    您能否告诉我 ACDRV1和 ACDRV2引脚可以消耗的最大电流值?



    此致、
    香川市

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kagawa:

    关于1、VACx 为提供 ACDRVx 输出的电荷泵提供输入电源。

    关于2、我唯一能发现的时序限制如下:

    关于3、我不明白这些二极管的用途。 我的理解是 ACDRVx 不会灌入电流。  关闭 ACDRx 后、会对 VBUS 施加6k Ω 下拉电阻。

    此致、

    杰夫

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 JEF-SAN:

    在数据表第33页的图9-4中、当 ACFET1和 RBFET1的栅极端子在电源输入 VAC1后接通时、ACDRV1和 ACFET1以及 RBFET1之间甚至必须有小电流(VAC2侧也是如此)。

    在这种情况下、您能告诉我们以下内容吗?

    1) 1) FET 栅极导通时流动的电流值
    2) 2) FET 栅极关断时消耗的最大电流值



    此致、
    香川市

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kagawa:

    关于1、我没有该值。  其值为数十 uA。

    关于2、如前所述、当 ACDRx 关闭时、会对 VBUS 施加6k Ω 下拉电阻。

    此致、

    杰夫

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 JEF-SAN:

    是否可以展示 ACDRVx 驱动电路部分的内部电路?
    ACDRV 正在打开和关闭 ACFET (NCH-MOS)、因此如果存在12V 输入、它应该输出超过12V。
    由于即使存在 VIN、也可以停止导通(可通过寄存器设置)、因此 ACDRV 侧也会执行拉入。
    我的问题是了解栅极的最大驱动能力(灌电流/拉电流)。
    但是、由于识别内部电路和操作可能存在错误、因此请说明内部电路、以便我们达成共识。

    此致、
    香川市

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kagawa:

    确切的电路细节是专有的、因此我无法分享。  ACDRV 电压应为 V (REGN)+ VBUS。  我将询问设计人员、我们是否具有 ACDRVx 引脚的最大拉电流和灌电流。

    此致、

    杰夫

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kagawa:

    下拉电阻为~100 Ω。 到电荷泵输出= V (REGN)~=5V +输入的上拉路径受到大约25k Ω 的限制。

    此致、

    杰夫

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 JEF-SAN:

    我认为电荷泵的输出保持恒定存在一个上限。
    瞬时电流可能没有限制。
    我认为、评估板(BQ25798EVM)的原理图有一些设计标准、因为二极管设计为与栅极电阻器并联。
    如果将二极管与栅极电阻器并联安装时的电阻器下拉为100欧姆、我已经确定输出停止最快。
    这种理解是否正确?

    作为此问题的背景信息、我们需要限制连接 USB 器件时的浪涌电流、我们需要使用 ACFET 限制到 VBUS 线路直通的浪涌电流。
    我们想通过调整时间常量来解决这个问题、因此我要求知道建议的值。

    此致、
    香川市

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kagawa:

    与~300欧姆电阻器并联的未填充二极管如果安装、将加快 FET 的关断速度、因为它添加到了100欧姆下拉电阻器中

    为了限制浪涌电流、我建议在 Q1或 Q3之间添加一个漏极电容器。  只要25千欧姆的 RC 时间常数和总栅极电容小于30ms、我就不会看到问题。

    此致、

    杰夫