您好!
我已经尝试从部件页面导入模型、并在 LTspice 中使用它(创建符号和一切正常)。
不幸的是-当我在输入中使用脉冲发生器来运行它时、我不会得到任何漏极-源极脉冲。
如果可能的话、请查看这款型号的示例(照片或文件中)。
谢谢。
小比
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
您好!
我已经尝试从部件页面导入模型、并在 LTspice 中使用它(创建符号和一切正常)。
不幸的是-当我在输入中使用脉冲发生器来运行它时、我不会得到任何漏极-源极脉冲。
如果可能的话、请查看这款型号的示例(照片或文件中)。
谢谢。
小比
尊敬的 Kobi:
此模型是在一段时间前开发的、请参阅 下面的建模信息:
可使用随附的 PSpice 模型来模拟 TI GaN 在给定电气环境下的行为、以了解其运行情况。 这个模型并不用于提供器件内功率损耗的估算。 该模型包含集成栅极驱动器、某些保护功能和用于生成+5V 和 Vneg 电压的降压/升压转换器。 下面提供了有关此模型所包含内容的其他信息、供用户参考:
1. rds、on:已使用固定导通电阻;rds、on 随温度的变化不建模。
2. Coss:模型中使用固定电容。 不会对随电压函数变化的非线性电容建模。
3.压摆率调整:必须在 Rdrv 引脚和 GND 引脚之间从外部添加一个固定的电阻器值(10千欧姆至200千欧姆),以设置导通期间 FET 的漏源压摆率。 此模型中未启用通过将 Rdrv 引脚直接连接到 GND 或 LDO5V 来对压摆率进行编程、并且这种配置可能会导致收敛错误。
4.故障保护:双重过流保护和 UVLO 保护(用于 Vdd、Vneg 和 LDO5V 引脚)都集成在模型中。 但是、该模型中不包含过热故障。
此致、
约翰