[参考译文] LMG3522R030-Q1：LMG3522R030-Q1 Spice 模型

尊敬的 Kobi：  

目前、我们 针对该器件的模型 经过设计和测试、只能在 PSpice 中运行。 我们尚未在 LTSpice 中测试或验证该模型。  如果可用、请在 PSpice 中使用该模型。  

我们还为 PLECS 提供经过验证的模型、如果您有这种选择的话。  

此致、

约翰

尊敬的 Kobi：

此模型是在一段时间前开发的、请参阅 下面的建模信息：

可使用随附的 PSpice 模型来模拟 TI GaN 在给定电气环境下的行为、以了解其运行情况。 这个模型并不用于提供器件内功率损耗的估算。 该模型包含集成栅极驱动器、某些保护功能和用于生成+5V 和 Vneg 电压的降压/升压转换器。 下面提供了有关此模型所包含内容的其他信息、供用户参考：

1. rds、on：已使用固定导通电阻；rds、on 随温度的变化不建模。
2. Coss：模型中使用固定电容。 不会对随电压函数变化的非线性电容建模。
3.压摆率调整：必须在 Rdrv 引脚和 GND 引脚之间从外部添加一个固定的电阻器值(10千欧姆至200千欧姆)，以设置导通期间 FET 的漏源压摆率。 此模型中未启用通过将 Rdrv 引脚直接连接到 GND 或 LDO5V 来对压摆率进行编程、并且这种配置可能会导致收敛错误。
4.故障保护:双重过流保护和 UVLO 保护(用于 Vdd、Vneg 和 LDO5V 引脚)都集成在模型中。 但是、该模型中不包含过热故障。

此致、

约翰