[参考译文] BQ76952：低侧 FET 控制

您好、Zhang：

我完全不明白你在想解释什么。 您能为我提供有关您的顺序的步骤吗？  

如果器件关断、则引脚将根本没有电压。

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

您好，Luis，ó n

我想说的是、当我使用 BQ76952时、我使用一个低测试 FET、使用 MCU 输出高电平或低电平来控制 DFETOFF 和 CFETOFF 引脚以打开或关闭 FET。 当我使用命令将 BQ 置于关断模式时、CHG 和 DCHG 都保持关断、但当我将 BQ 从关断模式切换到工作模式时、使用 MCU 向 DFETOFF 和 CFETOFF 引脚输出高电平、以导通 CHG 和 DCHG。 但此时、CHG 将开启、但 DCHG 将始终开启然后关闭、如上图中的示波器波形所示。 请问原因是什么？ 或者、CFETOFF 或 DFETOFF 引脚输出一个低电平(OV)、以便 MCU 输出高电平不起作用？

谢谢。

您好、Zhang：

我将在明天之前作出答复。

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

您好、Zhang：

这对我来说很奇怪。 您是否为 FET 控制配置了 DFETOFF/CFETOFF 引脚？

您是否具有配置的.gg.csv 文件？ 电路原理图也很适合查看。

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

您好、Luis、

我不使用 BQST、因此我没有 gg 文件，我的 DFETOFF 和 CFETOFF 配置是根据手册完成的、没有问题。 由于它在 BQ 运行模式中打开和关闭是非常正常的、但是当在关闭模式中使用 STM32输出0V (配置为在低电平下打开)时、DCHG 在它打开、关闭、然后再次打开时将一直出现。

您好、Zhang：

您能否为我提供您的不同设置的配置？

您是否已将器件设置为在 DFETOFF/CFETOFF 为低电平时关断 FET？ 在此期间、您是否有 FETOFF 引脚和 FET 引脚的任何波形？

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

您好、Luis、

我发现这是什么原因造成的。 当我完成充电或放电时、BQ 会有一些问题、比如我使用 CC2Samp=200、然后我读取的空闲电流数据为1mA、但当我完成充电或放电时、我读取的值将出现81mA、BQ 的 FET 会关断和开启很短时间。 我想知道 BQ 是否会进入某种模式来导致这种情况？

电源配置0x0068

谢谢。

您好、Zhang：

如果器件根据电流进行导通/关断、则可能是由于体二极管保护功能( 设置：保护：体二极管阈值 )。

如果您提高这个值、我认为这个问题应该解决了。

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

您好、Luis、

如您所说、打开体二极管后、FET 在充电期间没有关闭。 然而、仍然有一个问题、也就是说、当我被完全充电时、MCU 控制 BQ 进入关断模式、然后连接负载(此时未加载)并使用 TS2从关断模式中唤醒。 此时、使用 MCU 为 DFETOFF 和 CFETOFF 提供的低电平 CHG FET 将立即导通、但 DSG FET 将立即导通。

使用低侧 FET 控制 FET、FET_CTRL_EN 设置为1。 这很重要吗？

FET 选项= 0x0F、

DCHG_Pin = 0xA2；

DCHG_Pin = 0xA2；

CFETOFF_Pin = 0x02；

DFETOFF_Pin = 0x02；

FET_CHG_PUMP_CTR = 0x00；

谢谢。

您好、Zhang：

那么、您是否希望 FET 在启动时保持关闭？ 这就是您想要做的事情吗？

您可以设置 设置：FET：FET 选项[FET_INIT_OFF] 从而使 FET 仅在 MCU 发出相应命令后导通。

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

您好、Luis、

目前使用 BQ 的问题是、在运行期间重新配置寄存器、然后使用主机向 DFETOFF 和 CFETOFF 引脚施加电压(3.3V)之后、DDSG 和 DCHG 没有输出的可能性很小(此时、引脚电压为0、但主机3.3V 存在)。 发生这种现象的可能性不是100%、使用 Low-Said 脚、然后将 FET_Options 配置为0x2B、这种现象仍然存在。
1.是因为寄存器配置问题吗？ 我可以保证每个寄存器都成功配置、但使用 Low-Said FET 策略我不确定配置的寄存器值是否正确。
或者 BQ 是否具有某种保护？ 但是、我没有收到 BQ 的任何故障通知。 或者也许 BQ 本身检测到另一个故障、不允许 FET 开启。

希望得到您的答案、谢谢。

您好、Zhang：

您能否共享原理图？

因此、如果我能够正确理解/读取、那么 CFETOFF/DFETOFF 配置为高电平有效、对吗？

这意味着 当 CFETOFF/DFETOFF 获得高电平信号(例如3.3V)时、DDSG/DCHG 将保持低电平。

DDSG/DCHG 配置为跟随 FET 状态、因此如果 CFETOFF/DFETOFF 在外部设置为高电平、则会导致 DDSG/DCHG 变为低电平。

需要注意的是、应在 DDSG/DCHG 中设置 OPT1、目前情况并非如此。 (因此、 两者都应设置为0xAA)

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

您好、Luis、

我的最新配置如下：
FET_Options = 0x2B；
DCHG 引脚= 0xA2；
DDSG 引脚= 0xA2；
CFETOFF = 0x82；
DFETOFF = 0x82；
FET_CHG_PUM = 0x00；
体二极管阈值= 0x03E8；
采用这种配置后、DDSG 和 DCHG 将在 DFETOFF 和 CFETOFF 从主机接收到高电平(3.3V)后输出高电平、这没有问题、或者在从主机接收到低电平(0V)后将关断。
现在的问题是、主机很可能会向 CFETOFF 和 DFETOFF 引脚发送3.1V 电压、但 DDSG 和 DCHG 没有输出、在大多数情况下都没有问题。
我最近的测试似乎发现了问题。
在 BQ 运行期间、寄存器配置后有发生这种情况的可能性、但我确保了 BQ 进入了配置模式、并且寄存器的值确保了配置成功。 此外、当我使用命令读取 CHG 和 DSG 的状态时、它会显示该命令未启用。 此时、主机保持 CFETOFF 和 DFETOFF 引脚的3.3V 电平。
以下是整个 BQ 的原理图、当前使用 DDSG 和 DCHG 功能、使用 CFETOFF 和 DFETOFF 引脚关闭。

希望得到您的答案、谢谢。

您好、Luis、

e2e.ti.com/.../80a30726_2D00_5638_2D00_49ae_2D00_a2ec_2D00_aa22d84617b2.pdf

这是最新的原理图、应以

您好、Zhang：

您能否详细说明一下这是如何发生的？

在操作期间、您通常不希望进入 CONFIG UPDATE 模式、因为该模式会禁用 FET。  

更新寄存器后是否退出 CONFIG UPDATE 模式？

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

您好、Luis、

我确定我已退出配置模式，我现在发现当我进入 SHUTDOWN 模式、从 SHUTDOWN 模式唤醒、然后配置寄存器时会发生该问题。 我查看了手册、在关断唤醒后、在操作 BQ 之前延迟了1秒。

那么、您需要了解有关 BQ 从 SHUTDOWN 模式唤醒的哪些信息？ 因为这就是导致问题发生的原因、

您好、Luis、

可以进一步解释、BQ 现在进入 DEEPSLEEP 模式并退出 DEEPSLEEP 模式、性能非常正常。
这意味着、在器件从关断状态唤醒后配置后似乎存在问题、导致在向 DFETOFF 和 CFETOFF 引脚发送高电平后 DCHG 和 CCHG 没有输出。
整个编程序列就是这样的。
第一个。 如果运行 SHUTDOWN 命令且 REG18 = 0V、则 BQ 进入关断模式、不与 BQ 进行通信(此时保持电源)。
存储数据。 将 TS2拉至 GND、在1s 延迟后进入 CONFIG UPDATE 模式、然后执行寄存器配置操作。 寄存器配置后退出 CONFIG UPDATE 模式、然后 MCU 向 DFETOFF 和 CFETOFF 输出3.3V 电压。 根据手册、如果此时没有故障、将输出 DDSG 和 DCHG、但有可能不输出 DDSG 和 DCHG。
希望确保编程序列中缺失或错误？

希望得到您的答案、谢谢。

您好、Zhang：

它的可重复性如何？ 这是在您每次进出关闭装置时发生的、还是很少发生？

如果不经常发生、发生的频率有多高？ 您能否提供有关设置的详细信息？

• 您正在施加什么电压？
• 电路板测试位置的温度是多少？
• 您是如何进入关断状态(在重新打开之前)的？
  • 您是否使用了 shutdown ()命令或 RST_SHUT 命令？
  • 进入 SHUTDOWN 模式之前、DFETOFF/CFETOFF 的状态是什么？

作为一种权变措施，您是否在唤醒后尝试使用 rest ()命令，以确保器件在编程前正确初始化？

您是否还可以向我们提供唤醒后器件的编程序列？ 要编程什么寄存器、编程到什么值以及按什么顺序。  

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

您好、Luis、

1、当 BQ 退出 SHUTDOWN 模式时会发生此问题、小概率不是不可避免的(可能20年一次)。
2、我目前使用的是12串电池、40-50之间的总电压将出现这个问题。
3、温度为28℃。
4. BQ 正常工作时、我使用 shutdown 命令使 BQ 进入 SHUTDOWN 模式。 如果未使用 RES_SHUT、则 REG18电压变为0V、指示 BQ 进入关断模式。
5、在关断前使用 MCU 向 DFETOFF 和 CFETOFF 引脚施加0V 电压。
6.当前没有用于在 BQ 从关机模式唤醒后初始化它的 REST()命令，因此我可以立即验证该方法是否有效。
以下是 BQ 从关断模式唤醒后的寄存器配置数据值以及配置顺序。

e2e.ti.com/.../Register-Config.txt

再次感谢您。

您好、Luis、

这里未显示的其他寄存器具有默认值。

您好、Zhang：

感谢您提供如此多的信息！ 这真的很棒。

抱歉,我的意思是 reset()而不是 REST ()。 如果您在从关机状态唤醒后但在对部件编程之前重置部件，是否有任何问题？

这是一个奇怪的问题,所以我们想得到尽可能多的细节! 此外、您是否介意分享您的原理图、以便我们进行审阅？

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

您好、Luis、

我正在测试使用 reset()命令是否可以解决此问题。 首先、使用此命令后、我必须等待多长时间才能完成 BQ 初始化、或者我是否不必等待？ 手册似乎没有说明需要多长时间重置()。
下面是我们的原理图、不知道硬件是否有问题。

e2e.ti.com/.../2671.80a30726_2D00_5638_2D00_49ae_2D00_a2ec_2D00_aa22d84617b2.pdf

再次感谢您。

您好、Zhang：

一旦  0x64 Alarm Raw Status ()寄存器中设置了 INITCOMP 位、该器件就应该准备好进行编程。

完全关断的唤醒时序如所示 表16-2. 启动顺序和时序 应用和实现部分。

我将在星期一回顾原理图并提供一些反馈！  

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

您好、Luis、

感谢您的回答、非常感谢您帮助我解决这个问题。

如果原理图有任何问题、请告诉我。

您好、Zhang：

当然可以！ 使用 reset()命令是否解决了问题？

R45/R46/R47/ETC 的作用是什么？ 这些似乎不需要它们。

 R121的用途是什么？ C54应连接到 VSS。

我也很好奇、移除 D25是否会在任何方面帮助解决该问题。 或者 、如果移除 R92/R94、是否有任何差异？ 还是使用更强的下拉电阻？  

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

您好、Luis、

D25无法移除、移除后、P+将始终具有电压、其他电阻器目前正常。 目前在关机后使用 reset()命令没有问题，运行良好。 但我想确认这是否必要操作？
我还想查看另一个问题、即我使用命令0x0075读取 CC3的电流值、总共需要读取一个数据块(32字节)、并且读取时间已达到20ms、我是否可以问这是否正常？

再次感谢您。

您好、Zhang：

明白了！ 很高兴听到 RESET()命令帮助了事情。 我认为目前这是解决您的问题的最佳解决方案。 感谢您为我们提供的所有建议！ 理想情况下、我想看看是否有可能从我们这边重新创建一些东西、以弄清其中是否有原因。

你到底是指什么阅读时间? 如果这就是您的意思、那么 I2C 速度可以高达400kHz。

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

您好、Luis、

使用 Reset()命令似乎解决了我的问题，我现在可以暂时使用此方法，但在正常情况下应该没有必要使用。
我发现用于配置 I2C 的通信类型为0x1E、但我在退出 Config updata 模式后读取通信类型= 0x00寄存器、它似乎无法配置。 配置通信类型寄存器后、我是否需要将其复位？

再次感谢您。

您好、Zhang：

是、通常没有必要。 但现在解决问题也许是最好的方法！ 我想看看我们是否能在内部探索这一点、看看会发生什么情况。

关于新问题：

通常，为了使新通信类型生效(在更改寄存器后)，您需要发送0x29BC SWAP_COMM_MODE ()命令。

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

您好、Luis、

感谢您回答我的所有问题。 我暂时使用 Reset()来解决这个问题。 如果您在内部提出了一个解决方案、您可以尝试其他方法来解决它、或者发现我的配置或其他位置的问题。
请就该问题回答我。
再次感谢您！

您好、Luis、

上次我就寄存器配置连续写入问题与您沟通时、我的想法是具有连续地址的寄存器可以一次写入多个字节(而不是写入寄存器、然后开始写入另一个寄存器)、上次您说可以使用 BQStudio 看到块写入的数据流、但购买了 EV2400但还没有、时间可能有点不够。
那么、您能给我发送一个块写入寄存器的示例或进程(使用 CRC 的 I2C)吗？

再次感谢您！

您好、Luis、

我查看了手册中的说明、同时遵循手册中的说明进行寄存器块写入验证。 它似乎不起作用。
我有以下两个问题。
1、"第13.1节数据存储器访问"这里的寄存器操作方法是否适用于块写入(使用 CRC 时为12c)？
注意：一次块写入最多可写入32字节的数据存储器。
可以写入多达32个字节、如果我使用具有 CRC 的 I2C、CRC 会计为一个字节吗？ 这意味着我一次最多只能写入16个字节的数据和16个字节的 CRC。
TI 软件编程指南内部的官方网站似乎没有采用 CRC 寄存器块写入操作例程的 I2C、可以提供采用 CRC 块写入寄存器流程的12C？ 这将立即解决我的问题。

再次感谢您！

您好！

我们现在在美国假日、期待明天得到答案。

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

您好、Luis、

祝您在假期愉快，期待您的回答。

您好、Zhang：

您应该能够在启用 CRC 的情况下写入32个字节！ 是否编写了正确的校验和以及长度？

不幸的是,今天我们有一些天气问题,所以我们停电了。  

但明天我可以尝试让它在我们的电路板上正常工作、并和您分享一个示例。

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

您好、Zhang：

很高兴它现在起作用了！ 。

如果您有任何进一步的问题、请告诉我。

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙