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您好、TI 专家!
使用 BQ76952时、我使用低侧 FET 来控制 FET。 现在我有一个问题、我想确认一下。 当 BQ 在正常模式下工作时、我使用 STM32提供电平(3.3V 或0V)来控制 DFETOFF 和 CFETOFF 引脚、这一切正常。 BQ 进入降压模式后、在 DFETOFF 和 CFETOFF 引脚在从降压模式唤醒后关闭后、DHG 很可能始终开启和关闭。 想知道造成这种情况的原因吗?
期待您的答复。 谢谢!

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您好、TI 专家!
使用 BQ76952时、我使用低侧 FET 来控制 FET。 现在我有一个问题、我想确认一下。 当 BQ 在正常模式下工作时、我使用 STM32提供电平(3.3V 或0V)来控制 DFETOFF 和 CFETOFF 引脚、这一切正常。 BQ 进入降压模式后、在 DFETOFF 和 CFETOFF 引脚在从降压模式唤醒后关闭后、DHG 很可能始终开启和关闭。 想知道造成这种情况的原因吗?
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您好,Luis,ó n
我想说的是、当我使用 BQ76952时、我使用一个低测试 FET、使用 MCU 输出高电平或低电平来控制 DFETOFF 和 CFETOFF 引脚以打开或关闭 FET。 当我使用命令将 BQ 置于关断模式时、CHG 和 DCHG 都保持关断、但当我将 BQ 从关断模式切换到工作模式时、使用 MCU 向 DFETOFF 和 CFETOFF 引脚输出高电平、以导通 CHG 和 DCHG。 但此时、CHG 将开启、但 DCHG 将始终开启然后关闭、如上图中的示波器波形所示。 请问原因是什么? 或者、CFETOFF 或 DFETOFF 引脚输出一个低电平(OV)、以便 MCU 输出高电平不起作用?
谢谢。
您好、Luis、
如您所说、打开体二极管后、FET 在充电期间没有关闭。 然而、仍然有一个问题、也就是说、当我被完全充电时、MCU 控制 BQ 进入关断模式、然后连接负载(此时未加载)并使用 TS2从关断模式中唤醒。 此时、使用 MCU 为 DFETOFF 和 CFETOFF 提供的低电平 CHG FET 将立即导通、但 DSG FET 将立即导通。
使用低侧 FET 控制 FET、FET_CTRL_EN 设置为1。 这很重要吗?
FET 选项= 0x0F、
DCHG_Pin = 0xA2;
DCHG_Pin = 0xA2;
CFETOFF_Pin = 0x02;
DFETOFF_Pin = 0x02;
FET_CHG_PUMP_CTR = 0x00;
谢谢。
您好、Luis、
目前使用 BQ 的问题是、在运行期间重新配置寄存器、然后使用主机向 DFETOFF 和 CFETOFF 引脚施加电压(3.3V)之后、DDSG 和 DCHG 没有输出的可能性很小(此时、引脚电压为0、但主机3.3V 存在)。 发生这种现象的可能性不是100%、使用 Low-Said 脚、然后将 FET_Options 配置为0x2B、这种现象仍然存在。
1.是因为寄存器配置问题吗? 我可以保证每个寄存器都成功配置、但使用 Low-Said FET 策略我不确定配置的寄存器值是否正确。
或者 BQ 是否具有某种保护? 但是、我没有收到 BQ 的任何故障通知。 或者也许 BQ 本身检测到另一个故障、不允许 FET 开启。
希望得到您的答案、谢谢。
您好、Zhang:
您能否共享原理图?
因此、如果我能够正确理解/读取、那么 CFETOFF/DFETOFF 配置为高电平有效、对吗?
这意味着 当 CFETOFF/DFETOFF 获得高电平信号(例如3.3V)时、DDSG/DCHG 将保持低电平。
DDSG/DCHG 配置为跟随 FET 状态、因此如果 CFETOFF/DFETOFF 在外部设置为高电平、则会导致 DDSG/DCHG 变为低电平。
需要注意的是、应在 DDSG/DCHG 中设置 OPT1、目前情况并非如此。 (因此、 两者都应设置为0xAA)
此致、
路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙
您好、Luis、
我的最新配置如下:
FET_Options = 0x2B;
DCHG 引脚= 0xA2;
DDSG 引脚= 0xA2;
CFETOFF = 0x82;
DFETOFF = 0x82;
FET_CHG_PUM = 0x00;
体二极管阈值= 0x03E8;
采用这种配置后、DDSG 和 DCHG 将在 DFETOFF 和 CFETOFF 从主机接收到高电平(3.3V)后输出高电平、这没有问题、或者在从主机接收到低电平(0V)后将关断。
现在的问题是、主机很可能会向 CFETOFF 和 DFETOFF 引脚发送3.1V 电压、但 DDSG 和 DCHG 没有输出、在大多数情况下都没有问题。
我最近的测试似乎发现了问题。
在 BQ 运行期间、寄存器配置后有发生这种情况的可能性、但我确保了 BQ 进入了配置模式、并且寄存器的值确保了配置成功。 此外、当我使用命令读取 CHG 和 DSG 的状态时、它会显示该命令未启用。 此时、主机保持 CFETOFF 和 DFETOFF 引脚的3.3V 电平。
以下是整个 BQ 的原理图、当前使用 DDSG 和 DCHG 功能、使用 CFETOFF 和 DFETOFF 引脚关闭。

希望得到您的答案、谢谢。
您好、Luis、
e2e.ti.com/.../80a30726_2D00_5638_2D00_49ae_2D00_a2ec_2D00_aa22d84617b2.pdf
这是最新的原理图、应以
您好、Luis、
可以进一步解释、BQ 现在进入 DEEPSLEEP 模式并退出 DEEPSLEEP 模式、性能非常正常。
这意味着、在器件从关断状态唤醒后配置后似乎存在问题、导致在向 DFETOFF 和 CFETOFF 引脚发送高电平后 DCHG 和 CCHG 没有输出。
整个编程序列就是这样的。
第一个。 如果运行 SHUTDOWN 命令且 REG18 = 0V、则 BQ 进入关断模式、不与 BQ 进行通信(此时保持电源)。
存储数据。 将 TS2拉至 GND、在1s 延迟后进入 CONFIG UPDATE 模式、然后执行寄存器配置操作。 寄存器配置后退出 CONFIG UPDATE 模式、然后 MCU 向 DFETOFF 和 CFETOFF 输出3.3V 电压。 根据手册、如果此时没有故障、将输出 DDSG 和 DCHG、但有可能不输出 DDSG 和 DCHG。
希望确保编程序列中缺失或错误?
是否需要 BQ 中的数据来进入 SHUTDOWN 模式并退出 SHUTDOWN 模式?
希望得到您的答案、谢谢。
您好、Zhang:
它的可重复性如何? 这是在您每次进出关闭装置时发生的、还是很少发生?
如果不经常发生、发生的频率有多高? 您能否提供有关设置的详细信息?
作为一种权变措施,您是否在唤醒后尝试使用 rest ()命令,以确保器件在编程前正确初始化?
您是否还可以向我们提供唤醒后器件的编程序列? 要编程什么寄存器、编程到什么值以及按什么顺序。
此致、
路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙
您好、Luis、
1、当 BQ 退出 SHUTDOWN 模式时会发生此问题、小概率不是不可避免的(可能20年一次)。
2、我目前使用的是12串电池、40-50之间的总电压将出现这个问题。
3、温度为28℃。
4. BQ 正常工作时、我使用 shutdown 命令使 BQ 进入 SHUTDOWN 模式。 如果未使用 RES_SHUT、则 REG18电压变为0V、指示 BQ 进入关断模式。
5、在关断前使用 MCU 向 DFETOFF 和 CFETOFF 引脚施加0V 电压。
6.当前没有用于在 BQ 从关机模式唤醒后初始化它的 REST()命令,因此我可以立即验证该方法是否有效。
以下是 BQ 从关断模式唤醒后的寄存器配置数据值以及配置顺序。
e2e.ti.com/.../Register-Config.txt
再次感谢您。
您好、Luis、
我正在测试使用 reset()命令是否可以解决此问题。 首先、使用此命令后、我必须等待多长时间才能完成 BQ 初始化、或者我是否不必等待? 手册似乎没有说明需要多长时间重置()。
下面是我们的原理图、不知道硬件是否有问题。
e2e.ti.com/.../2671.80a30726_2D00_5638_2D00_49ae_2D00_a2ec_2D00_aa22d84617b2.pdf
再次感谢您。
您好、Luis、
我查看了手册中的说明、同时遵循手册中的说明进行寄存器块写入验证。 它似乎不起作用。
我有以下两个问题。
1、"第13.1节数据存储器访问"这里的寄存器操作方法是否适用于块写入(使用 CRC 时为12c)?
注意:一次块写入最多可写入32字节的数据存储器。
可以写入多达32个字节、如果我使用具有 CRC 的 I2C、CRC 会计为一个字节吗? 这意味着我一次最多只能写入16个字节的数据和16个字节的 CRC。
TI 软件编程指南内部的官方网站似乎没有采用 CRC 寄存器块写入操作例程的 I2C、可以提供采用 CRC 块写入寄存器流程的12C? 这将立即解决我的问题。
再次感谢您!