[参考译文] CSD18543Q3A：利用推挽电路放大1MHz 信号

您好 zabbza、

感谢您的咨询。 我认为您的推挽式布置应该可行。 100kΩ 的上拉电阻值可能过大。 大上拉电阻将减缓 NMOS 的导通和 PMOS 的关断。 此外、PMOS FET 的开关速度比 NMOS 慢、因为相同导通电阻的载波移动性较低。 TI NMOS 达到最大100V、PMOS 只达到最大-20V 如果我能进一步帮助您、请告诉我。

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

嘿、Zabbza、

那么、UCC27284应该是此系统的理想选择。 这是一款额定电压为120V 的半桥驱动器、具有3A 的栅极驱动电流、可驱动采用半桥配置的2个 NMOS FET。

谢谢！

William Moore

您好 Zabbza、

William 不在办公室,直到下周,我将寻求解决你最近的问题。 我不确定第一个问题、HB 和 HS 之间的电容是否会失真1MHz 输出信号？ 我不确定这是什么问题、您能否澄清一下是否担心 HB 和 HS 之间的噪声？  

栅极驱动电路上的典型应用中显示的二极管表明：1)提供一条路径使关断栅极电阻比导通栅极电阻更低、2)将驱动器输出钳位到接地基准。

我支持的 HPD 产品系列没有任何额定电压为52V VDD 的驱动器和驱动器输出电压。 DRV 产品可能是直接驱动的最佳选择。

UCC27284驱动器用于在 HB 配置中驱动 N 沟道 MOSFET。 这些驱动器可支持高峰值电流来对 MOSFET 的 Qg 进行充电和放电、但不适用于较高的平均电流。 除非平均电流非常低、否则我们不建议将 UCC27284用于直接驱动。

此致、

您好 Zabbza、

如果平均电流为50mA 或更小、则驱动器可能能够支持该平均电流。 关于如何直接驱动或连接到压电执行器、现在这将成为一个问题。 为了能够从0切换到电压总线输入、该驱动器设置为驱动低侧 FET、其中 FET 漏极支持更高的总线电压。 我认为您仍然需要外部 FET 来实现更高的电压峰峰值驱动信号。 但是、这些 FET 可能是非常小的器件。

此致、

嘿、Zabbza、

Richard 和我本人是栅极驱动器的应用工程师、因此我们不对其他产品发表意见。 请为 TMUX7221创建一个线程、如果该产品适合您的应用、该产品的团队将能够为您提供帮助。

谢谢！

William Moore