[参考译文] TPS25983：反向驱动电压保护

Tim、您好！

我会在下周一周之前给您回复。  

此致、
Arush

Arush 您好、感谢您的观看-这有任何更新吗？

Tim、您好！

我对延迟反应表示歉意。 很多的实验室测试正在进行,然后我上星期是 ooo。  

在这里、BFET 是器件的栅极、当器件关断时、它应该被驱动为低电平、这将关断 BFET、体二极管将阻止反向电流。 我们应该不会看到任何反向电流流动。  

您看到的电流是多少？ 有没有探测 dVdT 引脚的波形？

此致、
Arush

尊敬的 Arush：

不用担心、感谢您再次观看此视频。 我在反相配置中添加了四个 MOSFET (每个 V12输入两个)、以便在输入电压不存在且似乎会限制反向驱动时将反向电流阻断 MOSFET 的栅极保持在低电平。 您会建议采用这种方法吗？

我没有直接探测 dVdT 引脚、但 在 V12_MAIN 上以负载探测栅极：

以下是施加负载时反向驱动的 V12_main 的放电情况：

我还注意到、反向驱动电压随温度升高而增加、最终导致当反向驱动电压达到未上电电子保险丝的 UVLO 时电源轨压降、因为它会尝试优先处理 V12_MAIN 输入：

Unknown 说：

添加上述 FET 后是否仍能看到此问题？

不完全相同-我仍然看到85°C 时的反向驱动为~400mV、25°C 时为~200mV。