This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
工具与软件:
您好!
我用的是 Excel 设计计算的 LM5123、但是显示的最小输出电容是345、50 μ F、这听起来很不错。 我对 LM5152进行了相同的计算、除了 Cout 之外、它给出的所有值都完全相同(LM5152为246、75uF)。 我似乎找不到一个公式来计算导致高电容的原因。 这些是我对计算的输入:
VsupplC2 (min)= 4伏
Vsupply (典型值)=12
VsupplC2 (max)=36V
vload=9V (注意:目的基本上是针对恒定旁路模式)
ILOAD = 20A
Fsw=600kHz
Lm=0、47uH
Rdcr = 0、67m Ω
Rs = 0、75m Ω
deltavout=150mV
输出电容是否正确、是否是允许更大纹波的唯一选择? (或者使用更小的电感器、但这并不适合该系统)
此外、"恒定"旁路模式是否适合 LM5123? 是否有办法计算旁路期间的理论损耗?
如果有用、我将在下面添加预期的电路。
非常感谢您的观看! 此致、
Isabelle
哎呀、抱歉! Iload=28A (不是我意外编写的20)
您好、Olars:
感谢您通过 e2e 联系我们。
关于输出电容:
如果要选择电感远高于计算值的电感器、则电感器将没有足够的时间来充电和存储所需的能量。
增加开关频率会使情况变得更糟。
但总的来说、这些要求是非常极端的。
75A…… 100A 输入电流会很大。 即使您使用双 FET 也是如此。
让我担心的是以下几点:
LM5123在标称输出电压的100%至108%范围内不会升压、也不会进入旁路。
两个 FET 都将在该范围内关断、整个负载电流将流经高侧 FET 的体二极管。
如果您在输出侧需要28A 的电流、并且您使用双 FET、则每个 FET 的电流将超过14A (因为分布不是正好为50%)。
如果体二极管的压降为0.7V、则每个 FET 的损耗将超过10W。
LM5122的表现更好、因为它没有这个差距。
此致
哈利
根据我的理解、我将切换到 LM5122。 感谢您的帮助!