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器件型号：LMG1210 工具与软件：
大家好！
1) 1) 参考数据表中的图18、我正在考虑将 LMG1210的 GND 更改为低侧 FET 的源。
我认为可以避免感应电阻导致 GND 的潜在波动。
在 EVM 中、电流检测是在电感器末端完成的、因此我认为这是可能的。
可以将 EVM 的光绘数据和图形电路图作为参考吗？
2) 2) 在 EVM 的电路图中、R3和 R10设计为0Ω、但使用栅极电阻器是否正确？
此致、
Ryusuke
