请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：UCC28070 工具与软件：
嗨、团队：
我将设计一种半桥 PFC、
在一段时间内、当 AC+侧导通时、交流侧的 FET 关断。
是什么触发了这种情况？
与交错不同、电流方向是反向的、因此 CSx 端子卡在低电平、所以我认为无法检测到电流边沿。
Ulrich、您好！
在支持100V 交流输入的类似电路设计中、Toff 时序位于所示位置。
此时是否不可避免地将其关闭？
Hi Kobayashi-San,
是的、Toff 时序是不可避免的。 该时序由两个栅极驱动输出的180度交错强制实施。 
交错以 栅极驱动信号 GDA 和 GDB 的上升沿为基准。
关断时间为变量、从栅极驱动器的下降沿开始。
对于具有负电流(从源极到漏极)的 MOSFET、占空比始终为最大值(接近但绝不等于100%)。
在短暂的关断时间内、负电流流经 MOSFET 体二极管。 一旦 MOSFET 再次驱动、电流就会再次通过漏源通道恢复。
此致、
Ulrich
Hi Kobayashi-San,
是的、 95%+/-3%的 Dmax 值基于 RRT = 75kr 和 Rdmx = 68.1kR、抖动禁用的特定测试条件。
我同意您可以安全地瞄准 dmax = 96.11%典型值。
此致、
Ulrich
Ulrich、您好！
如随附的图所示、当电流流经的一侧的占空比超过约50%时、我想当另一个 GDX 开启时、在另一个 GDX 将达到 Toff。 这不正确吗？
Hi Kobayashi-San,
您的图表正确。
尽管这种拓扑是无桥的、但考虑传统的整流升压 PFC 可能有用、其中二极管桥后面的电压会进行整流。 在半桥模式下、来自交流波形一半的功率由 A 相(PWM 由 GDA 处理)处理、B 相(GDB)始终处于最大占空比。
在 交流波形的另一半期间、电源由 B 相(PWM 由 GDB 处理)处理、而 A 相(GDA)始终处于最大占空比。
这是我试图传达的信息。 占空比是<50%还是>50%都无关紧要、只有一相在一半的交流周期内处理功率、而另一相在另一个交流半周期内处理功率。 不处理任何功率的相位始终处于 dmax、Toff 最小。
此致、
Ulrich
Hi Kobayashi-San,
以下效率 图可在本应用 报告中的300W 半桥 ts 设计上找到：https://www.ti.com/lit/an/slua517/slua517.pdf?PFC=1731677853232&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.com%252F
我希望您的设计能够在无需额外设计工作的情况下也能达到类似的效率水平、即使是在更高的功率下也是如此。
此300W 设计应具有与您在设计中测量的波形类型相同。
如果您的实际效率明显低于如上所示、我建议遵循高电流路径并分析每个电源处理组件中的损耗、以可能改进设计。 例如、可能电感器中的磁芯损耗过大、或者可以改用 SiC 二极管来降低输出二极管中的反向恢复损耗。
如果您的效率已经与上述相似、并且您希望进一步提高效率、那么您列出的想法可能会有所帮助、尤其是增加 L 值以降低 ΔI。 并寻找逐渐降低每个元件损耗的方法。
我不确定添加一个低 Vf 二极管与每个较低的 MOSFET 并联是否能提供大幅改善、但您当然可以尝试一下、看看会发生什么情况。
我还建议尝试 将一个低 Vf 二极管与每个较低输入桥二极管并联、或代替它们。 
此致、
Ulrich
