工具与软件：
大家好、当为 PWM 提供2MHz 频率时、晶体管发热很严重、但电流消耗大致与图中所示相对应。
当 PWM 信号和功率施加到晶体管(VDD - GND)时、即使没有高压主电源(漏极-源极)、也会发生发热。
方案如下所示：
电源原理图：
提供电源(5V)时、消耗电流为60mA。 只要我施加615mA 信号、电流就会增加到615mA、即 PWM/2 = 307mA per 1晶体管。 但是、对于5V、对于12V ~ 5/12 * 307 = 128mA、此电流似乎一切都很好、但会产生很强的发热。
这种行为是否正常、这些晶体管是否需要较大的辐射体？
1)当输出电压 (漏极-源极)关闭时、只有晶体管发热、下面是 TEMP 信号的屏幕截图：
从这些屏幕截图中可以看出、2个晶体管的温度等效上升到~85度。 一旦我施加主电压(20伏2极)、温度就会迅速上升到超过150度、直到出现温度误差
同时、电感器和缓冲器也会被加热。
2) 2) 电源电压 ISO_H_12V 和 ISO_L_12V 正常、以下是屏幕截图：
ISO_H_12V：
ISO_L_12V：
3) 3) 以下是输入信号：
隔离器之后(IN)：
SW 输出信号(输入+-3.0V)：
电力线上的最大电流小于1A
您好！
如 Madhur 所述、我已在我们的实验室中运行了一个测试、以便重现您看到的这个问题。 以下是我的结果：
从这些结果中可以看出、TEMP 引脚报告的温度为40.4摄氏度、而 I 测得的温度约为45C。 考虑到 TEMP 引脚和热像仪的误差裕度、这些结果是预期的且匹配良好。
谢谢！
Zach
您好！
很抱歉回答冗长、感谢您的测试。 当我们在输入端提供+-20V 电压时、电路会在没有连接负载的情况下消耗400mA。 我 在电路板背面添加了一个铜板(10mm)、但这样就解决了问题、没有提供 Vin。 当我们提供 Vin +-20V 电压时、晶体管仍然过热。
您好、Madhur、感谢您的测试、这里是电路板层的 pdf 文件：
e2e.ti.com/.../AW_5F00_011_2D00_2.PDF
比较
e2e.ti.com/.../AW_5F00_011_2D00_2_5F00_Amplifier_5F00_Power_5F00_D_5F00_Klass.pdf
