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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1448424/tpsm63608-rboot-and-cboot
工具与软件：
大家好、团队成员：
RBOOT 和 CBOOT 引脚上的电流限制是多少？
这些引脚上的最大电压在数据表中指定为5.5V。
此致、
Vidhya
嗨、Vidhya：
我可以知道您需要此信息的目的吗？ 如果用于选择 Rboot、数据表中提供了范围(0至500欧姆)。
谢谢。此致、
Niranjan
嗨、Niranjan、
我需要检查电阻器的降额。 0.1W、0欧姆、0402封装电阻器？
电流是多少？
Rboot 不承载直流电流、而是承载自举电容器的充电和放电电流。 因此它的功率耗散将非常低。 0.1W 应绰绰有余、它是该 系列其他器件的 EVM 中用于 Rboot 的值。
有关功率耗散的更多信息,请参考以下主题: https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1060174/faq-tps546d24a-selecting-rboot-and-calculating-rboot-power-dissipation
共享的链路具有功率损耗公式。 但我没有足够的数据来计算相同的值。
Pdiss = R * I^2 * sqrt (D)
Rboot *[(VDrive - Vplat)/(Rdrive + Vboot)]^2 * [ Qg *(Rdrive + Rboot)/｛(VDrive - Vplat)* tsw｝ ]
您能否分享详细信息来证明0 Ω、0.1W、0402封装足够了？
Vidhy
对于外部 FET 器件、当所有 FET 参数均已知时、可以使用上述公式。 我分享此链接以表明典型的功率耗散将非常低、在几 mW 范围内。 如果您在公式中插入0欧姆、它无论如何会给出0答案。 在这种情况下、功率会在寄生效应中耗散。
0.1W、0402封装 Rboot 是此系列器件的 EVM 中使用的、这一额定值绰绰有余。
考虑到容差、0欧姆将考虑0.005欧姆。 那么、为了对齐、可以为 TPSM63608执行任何计算？
此外、可以在 IC TPSM63608的 SW 引脚上提供任何 RC 缓冲器配置？ 还是通过 SPSP 功能在内部进行处理？ 请提出建议。
由于内部 FET 的参数未公开提供、因此很难计算确切的耗散。 在任何情况下、功耗都将远低于0.1W
没有连接 RC 缓冲器的配置、SW 引脚不应连接到任何外部元件或信号。 由于该器件是一个模块、因此与分立式实施方案相比、预期的寄生效应和 SW 节点振铃更低。
好的。
可以在 TPSM63608RDFR 的 VCC 引脚上连接可选的1 μ F 电容器。
VCC 引脚上有一个内部1uF 电容器。 无需连接外部电容器。 您可以在 VLDOIN 引脚上连接一个可选电容器以提高噪声性能。
好的 Niranjan,
要将 VLDOIN 连接到 VOUT、应该连接任何0欧姆电阻器？ 或者可以直接短接？ 能否在 VLDOIN 引脚附近添加一个0.1uF 电容器？
谢谢！
另外、以下输出电压的 Cff 是多少
5V 22pF
3.3V 47pF
1.8V 100pF、如数据表中的表8-1所示。
1.5V、1.05V 使用什么值？ 没有公式。
您可以直接短路或通过0欧姆、它应该没有区别。 唯一需要注意的是 Vout 应小于12V
是的、可以在靠近引脚的位置添加0.1uF 电容器、以获得更好的抗噪性。
仅当输出电容接近最小所需值或瞬态响应不令人满意时、才需要使用 Cff。 对于理想 CFF 值、必须通过实验确定交叉频率。
有关信息、请参阅以下应用说明： https://www.ti.com/lit/an/slva289b/slva289b.pdf
如果 VOUT <3.1V、如何连接 VLDOIN？
请参阅数据表中的声明。 "如果 VLDOIN 电压低于3.1V、则 VIN1和 VIN2直接为内部 LDO 供电"。
在这种情况下、您仍可以连接到 VLDOIN/接地 VOUT。 无论哪种方式、内部 LDO 都将由 VIN1和 VIN2供电。
VLDOIN 不能保持悬空？ 它必须连接到 VOUT 或接地？
它必须连接到 VOUT (除非 VOUT > 12V)或接地。
谢谢 Niranjan。
