This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
嗨、Vidhya:
Rboot 不承载直流电流、而是承载自举电容器的充电和放电电流。 因此它的功率耗散将非常低。 0.1W 应绰绰有余、它是该 系列其他器件的 EVM 中用于 Rboot 的值。
有关功率耗散的更多信息,请参考以下主题: https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1060174/faq-tps546d24a-selecting-rboot-and-calculating-rboot-power-dissipation
此致、
Niranjan
嗨、Niranjan、
共享的链路具有功率损耗公式。 但我没有足够的数据来计算相同的值。
Pdiss = R * I^2 * sqrt (D)
Rboot *[(VDrive - Vplat)/(Rdrive + Vboot)]^2 * [ Qg *(Rdrive + Rboot)/{(VDrive - Vplat)* tsw} ]
您能否分享详细信息来证明0 Ω、0.1W、0402封装足够了?
谢谢。此致、
Vidhy
嗨、Vidhya:
对于外部 FET 器件、当所有 FET 参数均已知时、可以使用上述公式。 我分享此链接以表明典型的功率耗散将非常低、在几 mW 范围内。 如果您在公式中插入0欧姆、它无论如何会给出0答案。 在这种情况下、功率会在寄生效应中耗散。
0.1W、0402封装 Rboot 是此系列器件的 EVM 中使用的、这一额定值绰绰有余。
此致、
Niranjan
另外、以下输出电压的 Cff 是多少
5V 22pF
3.3V 47pF
1.8V 100pF、如数据表中的表8-1所示。
1.5V、1.05V 使用什么值? 没有公式。
嗨、Vidhya:
您可以直接短路或通过0欧姆、它应该没有区别。 唯一需要注意的是 Vout 应小于12V
是的、可以在靠近引脚的位置添加0.1uF 电容器、以获得更好的抗噪性。
此致、
Niranjan
嗨、Vidhya:
仅当输出电容接近最小所需值或瞬态响应不令人满意时、才需要使用 Cff。 对于理想 CFF 值、必须通过实验确定交叉频率。
有关信息、请参阅以下应用说明: https://www.ti.com/lit/an/slva289b/slva289b.pdf
此致、
Niranjan
嗨、Niranjan、
如果 VOUT <3.1V、如何连接 VLDOIN?
请参阅数据表中的声明。 "如果 VLDOIN 电压低于3.1V、则 VIN1和 VIN2直接为内部 LDO 供电"。
谢谢!
Vidhya
嗨、Vidhya:
在这种情况下、您仍可以连接到 VLDOIN/接地 VOUT。 无论哪种方式、内部 LDO 都将由 VIN1和 VIN2供电。
此致、
Niranjan
嗨、Niranjan、
VLDOIN 不能保持悬空? 它必须连接到 VOUT 或接地?
谢谢!
Vidhya
嗨、Vidhya:
它必须连接到 VOUT (除非 VOUT > 12V)或接地。
此致、
Niranjan
谢谢 Niranjan。