主题中讨论的其他器件:TPS3760、 TPS3762、 TLVH431、TLV431、
工具与软件:
超过 VIN 29V 的过压保护问题。
当 VIN 为29V 时、VKA 为2V。 MOSFET Q1导通。 它没有受到保护。
我要添加新的 R320和 R321。 在 Q1.G 处、偏差的电压电阻器将设置为0.7V
过压处理可在 VIN 29V 下工作。
原理图修改是否基本正确?
Josh
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工具与软件:
超过 VIN 29V 的过压保护问题。
当 VIN 为29V 时、VKA 为2V。 MOSFET Q1导通。 它没有受到保护。
我要添加新的 R320和 R321。 在 Q1.G 处、偏差的电压电阻器将设置为0.7V
过压处理可在 VIN 29V 下工作。
原理图修改是否基本正确?
Josh
尊敬的 Josh:
有几种方法可以改进您的电路:
1.使用电压监控器 IC
使用 TPS3760或 TPS3762等电压监控器 IC、可以更精确地监控过压、并显著减少组件数量:
我建议使用 TPS3762D02OVDDFR 或 TPS3760E012DYYR 。 他们可以替代您的电阻器、电容器和 FET。
选择具有更高阈值电压的 NMOS 和/或使用 TLV431或 TLVH431
TLV431和 TLVH431的基准电压较低、约为1.24V。 这会导致阴极电压降至约1V。 它们还与 TL431引脚对引脚兼容。 如果可能、使用具有更高阈值电压的 FET 也是有利的。 切换到 TLV431或 TLVH431需要更改原理图中的 R43和 R44值。 另请注意、TLV431和 TLVH431的最大阴极电流比 TL431低。
3.增加分压器
添加分压器可能可行、但也有一些缺点。 首先、它会增加电路的电流消耗。 务必确保提供足够的电流、从而满足 TL431的最小阴极电流要求。 其次、由于电阻器容差、它会进一步降低电路的精度。 我会推荐选项1作为最好的选择、选项2是第二好的选择。
如有任何问题、敬请告知。
谢谢!
Jackson
尊敬的 Josh:
感谢您分享原理图。 以下是我的评论:
1.请在引脚4上添加一个上拉电阻器:
例如:
TPS3762D02OVDDFR 具有锁存功能。 这意味着引脚4 (RESET__)将保持有效状态、直到 在 BIST_EN/LATCH_CLR 引脚上检测到逻辑高电平输入、因此不应将其悬空。 如果您不需要此锁存特性、那么您应该考虑我推荐的另一款器件 TPS3760E012DYYR、 它具有与 TPS3762相同的功能、只是没有 BIST 和锁存功能。
如果您有任何其他问题、敬请告知。
谢谢!
Jackson