工具与软件：
我正在设计的器件具有以下要求
输入：0.5至3 MHz (0至20V 方波)、36V 输入电源
输出：将输入20V 方波放大至150V 0.5A
我使用 LM5155DSSR IC 将36V 转换为150V、并使用 LMG1210RVRR 半桥 IC 控制 GaN 功率晶体管的开关。 我需要你们的帮助来验证设计。 以便我应该投入生产。
另外、在本例中、需要在 VIN (引脚2以及引脚4)上施加多大的电压。
谢谢你
您好！
输入方波的绝对最大规格为10V。 20V 输入会损坏器件、需要降低。
如果使用内部 LDO、则 VIN 可以为6-18V。 如果绕过内部 LDO、VDD 可以是4.75-5.25V。 如果使用 VIN、则无需为 VDD 供电。
谢谢！
Walter
您好！
否、由于内部 LDO 压降电压、VIN 必须为6V 或更高。 如果您具有稳定的5V 电源、则可以将5V 连接到 VDD、将 VIN 连接到 VDD。
在原理图上、需要在 HB-HS 引脚之间放置一个电容器以实现自举运行。 
您原理图上的电容器似乎未连接。
测试最终电路时、确保输出过冲和下冲不超过最大 HS 电压规格。
PCB 布局应针对并联输出 GaNFET 采用对称布局、以便平衡寄生效应和驱动电压。
此致！
Walter
您好！
我建议在5V_VDD 和 EN_IN 之间添加一个0欧姆电阻、以便在必要时断开网络。
为了降低电感、应按此方向连接馈通电容器 C1和 C24。 自举二极管 BAT46WJ 的 额定电压仅为100V。 自举二极管反向电压需要高于150V 总线电压+裕度。 请选择电压更高的二极管。
我还建议为输入滤波电容器添加空焊盘、以便在需要时使用它们。
谢谢！
Walter
