[参考译文] BQ25792：在充电过程中会发出噪声

尊敬的 Burhanuddin：

产生噪声的最常见元件是陶瓷电容器、因为它们具有压电特性。  能否提供听到这种蜂鸣声时 SW1、SYS 和 BAT 电压的示波器屏幕截图？  另外、47nF BTST 电容器的额定电压是多少？  它们需要是35V 或额定值更高的电容器。

此致、

Jeff

尊敬的 Jeff：

感谢您的快速响应。

当然、我将共享 SW、SYS 和 BAT 电压的快照。

遗憾的是、47nF 的额定电压为25V。 我将尝试使用35V 及更高电压并再次进行测试。

您好！

由于美国节假日、我们的回复将会延迟、由此给您带来的不便、我们深表歉意。

此致、

Wyatt Keller

这里是您的基准快照、这是47nF/25V 电容器

使用50V 更改47nF 对它没有影响。 噪声仍然存在。

是否可能是 由于存在噪声而导致电池端子处的 LC 组合？

尊敬的 Burhanuddin：

我被粉色迹线刻度弄糊涂了。  BAT 和 SYS 是否确实低至1.xV？  忽略刻度、SYS 输出似乎达到 OVP 并关闭转换器。  0x1B 至0x27中的状态和标志是否报告 OVP？   

此致、

Jeff

尊敬的 Jeff：

我进行了检查发现、当电池充电时、VSYS 电压高达13.1V (有振铃)。

此外、我发现在未连接电池时 VSYS 中存在尖峰、持续时间约为14.6ms

此外、当电池以较低的电流充电时、VSYS 处没有噪声和纹波。

尊敬的 Burhanuddin：

当未连接电池时、预计会出现 VSYS 尖峰。  可以通过禁用 PFM 和/或在 SYS 上添加更多电容来降低电压。

使用连接电池充电时、不会出现尖峰。  您能否提供 REG0x1B 至(含义在两者之间) REG0x27的寄存器转储。

此致、

Jeff

尊敬的 Jeff：

在这里、寄存器转储从0x1B 到0x27：

1.未充电(初始)： 2F、2A、0、50、0、 0、0、AF、92、50、 10、20、40

2. 未充电(2-3秒后)： 2F、2A、0、50、0、 0、0、0、82、10、 10、20、40

3.充电时(Vin=20@0.59A)： 2F、6A、1、40、0、 0、0、0、0、0、 0、0、0

4.仅电池：  20、0、1、40、0、 0、0、0、0、0、 0、0、0  

尊敬的  Burhanuddin：

当 WD 计时器到期时、所有寄存器最终(在40s 默认后) 处于其默认状态、其中一些状态由 PROG 引脚电阻器设置。  可以禁用 WD 计时器、或者主机可以定期向其中写入该计时器。

关于1、在未启用充电的情况下、报告 BAT 和 SYS OVP 的唯一方法是连接电压大于 VREG 寄存器设置的电池。  但是、那么充电器如何报告涓流充电、即 V (BAT)< 2.5V？  电池组保护器是否打开和关闭？

关于2、见上文1

关于3、看上去正常。

关于4、看上去正常。

此致、

Jeff

尊敬的 Jeff：

我订购了 EVM  BQ25792EVM、并使用同一块电池对其进行了测试、没有噪声。

寄存器转储

1. 未充电： 2B、2A、0、50、0、 0、0、0、82、10、 10、20、40

2.充电时(Vin=20@0.67A)： 2B、6A、1、40、0、 0、0、0、0、0、 0、0、0

3.仅电池：  20、0、1、40、0、 0、0、0、0、0、 0、0、0  

请告诉我、还有什么可能是问题？

A. VSW1波形

A. VSYS 波形

尊敬的  Burhanuddin：

能否将 VBUS、PMID、SWx、SYS 和 BAT 组件的 EVM BOM 和布局与电路板上的相同组件进行比较？

此致、

Jeff

尊敬的 Jeff：

我对这两者进行了比较、发现就 BOM 而言、我们做得很好。 在布局中、我们的 PMID、VBAT 电容器和电感器 位于 IC 的另一侧。

分享原理图供您参考。 该设计适用于2S、但我们使用3S 电池、其配置正常。 R1254为10K5
e2e.ti.com/.../ChargerSCH.pdf

只是一个更新、

降低730mA 的充电电流以消除噪声、 我在 REG 0x03上发送了0x00、在 REG 0x04上发送了0x49。

另一个更新：

我将电路板电感器替换成了 EVM 电感器、仍然有噪声。

我使用750kHz 2.2uH 电感器进行了测试、但问题仍然存在。

尊敬的 Burhanuddin：

在布局中、SYS 和 PMID 上的0.1uF 和至少1个10uF 电容器需要位于 IC 的同一侧、没有过孔、如下所示：

电感器和额外的大容量电容器可以在另一侧。  您能否通过刮擦阻焊层来添加这些组件、从而手动修改电路板、看看这是否有帮助？

此致、

Jeff

我们已经为 PMID 在顶层有一个0.1 μ F 的电容器、我在与 IC 相同的层额外增加了10 μ F、仍然是相同的结果。

VSYS 电容器与 IC 位于同一层。

尊敬的 Burhanuddin：

您能否删除 BATP 上的47nF C807。  建议仅用于4S 应用、不会安装在 EVM 上。

此致、

Jeff

尊敬的 Burhanuddin：

我被骗了。  您是否尝试过不同的电池或模拟电池=>1000uF ||四路电源(SourceMeter)或>1000uF || CV 模式中的电子负载||电源？  在某些情况下、我看到电池组保护器打开、因为它认为 IC 过压。  这会导致 IC 跳闸 OVP 故障并像您看到的那样停止开关。  保护器的最小 OVP 阈值是多少？

此致、

Jeff

尊敬的 Jeff：

同一电池可与 EVK 正常搭配使用。

在我们的系统中、如果我降低充电电流、就没有噪声。

尊敬的 Burhanuddin：

噢。 好的。  BQ2579XEVM 与您的 PCB 之间有什么不同？  您的 PCB 电感器饱和电流额定值是多少？  您的 PCB 布局与 BQ25798EVM 有何不同？

此致、

Jeff

我对这两者进行了比较、发现就 BOM 而言、我们做得很好。 在布局中、我们的 PMID、VBAT 电容器和电感器 位于 IC 的另一侧。

分享原理图供您参考。 该设计适用于2S、但我们使用3S 电池、其配置正常。 R1254为10K5
e2e.ti.com/.../2480.ChargerSCH.pdf

降低730mA 的充电电流以消除噪声、 我在 REG 0x03上发送了0x00、在 REG 0x04上发送了0x49。

我将电路板电感器替换成了 EVM 电感器、仍然有噪声。

我使用750kHz 2.2uH 电感器进行了测试、但问题仍然存在。

1uH 电感器饱和电流为18A、DCR=6.05m Ω PN： EXLA1V0603-1R0-R

2.2uH  电感器饱和电流为13A、 DCR=8.5m Ω PN： EXL1V0605-2R2-R

尊敬的 Burhanuddin：

如果您可以使用 BQ25792EVM 进行充电、并且没有此噪声、则问题在于布局。  我以前没有看到这种确切的问题、但我知道如果 IC 顶部没有 PMID 和 SYS 0.1uF 电容器以及至少一个10uF 电容器、则会导致 IC 无法正常调节。   

此致、

Jeff

尊敬的 Jeff：

对于 PMID 和 SYS、与 IC 在同一侧已有一个0.1uF 电容。

按照您之前的注释、 PMID 和 VSYS 的 IC 在同一侧已有一个10 μ F 电容器。

我们对布局进行了一些更改、 收到新电路板后、我会对其进行测试并分享结果。

尊敬的 Burhanuddin：

好的。  同时、我认为使用一个 EVM 板和您的电池进行测试会有所帮助。

此致、

Jeff