[参考译文] ISO5852S-DESAT：EP 引脚的静态灌电流规格

尊敬的 Dheeraj：

消隐电容放电电流在 V (DESAT)-GND2 = 6V 时指定。 这是内部 FET 的饱和电流、您应将其视为最大放电电流。 也就是说、如果您有一个100pF 的电容器被充电至2V、您应该假设将电容器电压重新初始化为0V 至少需要100p*2/(14mA)=14ns。

这是仿真结果吗？ 原理图是什么？ 我假设 DESAT 电流在电容器放电后会恢复到0A、但您的二极管可能具有较高的5.5mA 漏电流。

此致、

Sean

尊敬的 Dheeraj：

消隐电容器放电 FET 是一款具有14mA 饱和电流的 NMOS。 如果施加小于14mA 的电流、它将充当连接到 COM 的2欧姆 Rdson 电阻器。 如果施加的电压超过14mA、则电压可以是任意高的。

由于您有一个2.7k 的电阻器、因此它不会使14mA 下拉 NMOS 饱和。  

这是一种在不过多增加 DESAT 消隐时间的同时增加 DESAT 电容器大小的常见技术、但这会增加复杂性。 您是否已经尽可能地延长 DESAT 消隐时间？ 您的时间设置是多少？为什么？

此致、

Sean

尊敬的 Dheeraj：

这只是另一个组件、功耗会更大。 但是、如果需要考虑抗噪性、那么可能非常值得进行权衡。  

我只想确保您首先将电容器最大化到最大 DESAT 时间。

此致、

Sean

感谢 Sean 澄清我的问题。