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[参考译文] ISO5852S-DESAT：EP 引脚的静态灌电流规格

admin
Guru**** 2390160 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1477608/iso5852s-ep-static-sink-current-specification-for-desat-pin

器件型号：ISO5852S-ISO5852S EP

工具与软件：

您好！

我的问题与 ISO5852S-DESAT  器件 EP 引脚的静态灌电流能力有关。 数据表指定 消隐电容器放电电流的范围为9mA、(min)和14mA (典型值)。 由于指定为电容器放电电流、这些电流是稳态额定值(连续电流)还是动态电流？

~这个问题的背景是、我们看到 DESAT 引脚上有1 μ A 5.5mA 的连续灌电流(请参阅下面的仿真图像)。 当栅极驱动器关断并且内部 MOSFET 结构可灌入 DESAT 引脚中的电流时、这可以连续进行。 我们有一个关于 IC /引脚可靠性的问题。 数据表中给出的14mA 规格是连续值还是峰值？  

通常、当只有 DESAT 电容器放电时、会产生短暂的电流尖峰。  

谢谢。  

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    TI__Guru**** 2390160 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Dheeraj：

    消隐电容放电电流在 V (DESAT)-GND2 = 6V 时指定。 这是内部 FET 的饱和电流、您应将其视为最大放电电流。 也就是说、如果您有一个100pF 的电容器被充电至2V、您应该假设将电容器电压重新初始化为0V 至少需要100p*2/(14mA)=14ns。

    这是仿真结果吗？ 原理图是什么？ 我假设 DESAT 电流在电容器放电后会恢复到0A、但您的二极管可能具有较高的5.5mA 漏电流。

    此致、

    Sean

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    TI__Guru**** 2390160 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Sean、

    我们在实现中所做的是尝试为 DESAT 引脚提供上拉源(使用2.7K 电阻时为15V)。 这样做的原因是可以灵活地选择 DESAT/消隐电容器。 ~、这个上拉是产生静态 Δ I 5.5mA 电流的原因、而不是二极管漏电流的原因。 另一个问题是、如果没有外部上拉源、消隐电容值将非常小且容易受到干扰。  

    我已经添加了 DESAT 部分的屏幕截图。

    好的、这是我的问题的背景。 我不太确信给定的电流规格是静态电  流还是瞬态电流？

    如果您需要更多详细信息、请告诉我？

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    TI__Guru**** 2390160 points
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    尊敬的 Dheeraj：

    消隐电容器放电 FET 是一款具有14mA 饱和电流的 NMOS。 如果施加小于14mA 的电流、它将充当连接到 COM 的2欧姆 Rdson 电阻器。 如果施加的电压超过14mA、则电压可以是任意高的。

    由于您有一个2.7k 的电阻器、因此它不会使14mA 下拉 NMOS 饱和。  

    这是一种在不过多增加 DESAT 消隐时间的同时增加 DESAT 电容器大小的常见技术、但这会增加复杂性。 您是否已经尽可能地延长 DESAT 消隐时间？ 您的时间设置是多少？为什么？

    此致、

    Sean

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    TI__Guru**** 2390160 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好 Sean、

    感谢您的答复！！

    我们目前正在设计~3-4us 的消隐时间、同时考虑不同的 IGBT 和 MOSFET。 我的意思是、栅极驱动器部分很常见、并且会根据总线电压和电流要求选择外部开关。 因此、为了提供灵活性、我们将采用这种方法。

    根据我们的讨论、我们可以清楚地看到、额外的电流负载对于 DESAT 引脚没有问题。

    您认为这样的实施会有多复杂？

    谢谢

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    TI__Guru**** 2390160 points
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    尊敬的 Dheeraj：

    这只是另一个组件、功耗会更大。 但是、如果需要考虑抗噪性、那么可能非常值得进行权衡。  

    我只想确保您首先将电容器最大化到最大 DESAT 时间。

    此致、

    Sean

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    TI__Guru**** 2390160 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢 Sean 澄清我的问题。