主题中讨论的其他器件: TPS2557、 TPS2559
工具与软件:
您好!
我们将参考数据表中的"10.2.1.2.3自动重试功能"一节来配置 TPS2556上的"AutoRetry"电路。
但是、我们现在不实现"可再生"电容。
根据上面的部分、这个电容被用来控制"自动重试"时间、然而、我希望您确认我们是否可以不执行这个电容。
我们的问题是、当我们控制"自动重试"时间过快时是否会发生振荡。
如果有任何问题、请您确认上述情况并给我评论一下吗?
此致、
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工具与软件:
您好!
我们将参考数据表中的"10.2.1.2.3自动重试功能"一节来配置 TPS2556上的"AutoRetry"电路。
但是、我们现在不实现"可再生"电容。
根据上面的部分、这个电容被用来控制"自动重试"时间、然而、我希望您确认我们是否可以不执行这个电容。
我们的问题是、当我们控制"自动重试"时间过快时是否会发生振荡。
如果有任何问题、请您确认上述情况并给我评论一下吗?
此致、
您好!
澄清一下、自动重试电路将仅适用于高电平有效器件 TPS2557。 TPS2556为低电平有效。
我手头没有 TPS2557要查看、但我有姊妹产品 TPS2559。 当 I FAULT 短接至 EN 时、 自动重试功能正常运行、但时序是负载的函数。 当 FAULT 变为低电平来指示过流时、开关将立即关闭输出。 一旦 VOUT 为0、FAULT 将更改为高阻态、从而重新启用器件。 在 TON 之后、输出将尝试再次上升。 对于较低的电阻和/或较低的输出电容、VOUT 将更快地降低、这意味着故障在较短的时间内保持低电平。 对于更大的电阻或更大的输出电容、VOUT 会减慢、从而使 FAULT/EN 保持低电平更长时间。
我将订购 TPS2557 EVM 以验证它是否符合 TPS2559的要求。
此致、
Eric
Eric、您好!
>澄清一下、自动重试电路仅适用于高电平有效的器件 TPS2557。 TPS2556为低电平有效。
是的、我知道。 因此、我在"Faultn"和"ENn"之间添加了逻辑、以实现"自动重试"功能。
> 对于较低的电阻和/或较低的输出电容, VOUT 会更快地降低,这意味着故障在较短的时间内保持低电平。
有。 我们希望您确定器件是否可能在最低输出电容(无容性负载)下隔离。 (从视角电阻开始、必须需要上拉电阻器。 因此没有负载的情况。)
是否有可能评论上述内容?
此致、
您好!
我今天下午有机会在没有 CRetry 的情况下测试 tRetry。
正如预期的那样、重试周期的周期根据加载条件而变化。 这是因为 VOUT 上较低的电阻会导致更快的放电、这意味着 FAULT 信号处于低电平的时间更短。
约为400-500m Ω 时、重试周期不一致。 有时是~20ms、而有时则是~5ms。 这对于 VOUT 到 GND 的直接短路也是如此。 因此、我建议使用 CRetry 来控制最短关断时间。
在随附的示波器波形中、C1为 IN、C2为 OUT、C3为/FAULT (兼用作 EN)。 我加入此功能是为了演示 OUT 短接至 GND 而没有 Cretry 的不一致重试时序。
此致、
Eric
您好、Eric San、
感谢您的答复。
我有以下问题。
Q1下面的电阻值显示的是哪一部分?
>约400-500m Ω、
Q2您申请"Cout"的设置(在本例中、我在之前的文档中解释了"4.7uF"和"150uF"。)
Q3您是否可以显示"故障"信号的"低"周期? ("我们"订单?)
Q4根据数据表、该器件的"抗尖峰脉冲"时间约为8ms 至9ms。
您说最低周期为"5ms"。 我认为、与上述"抗尖峰脉冲"时间相比、时间太短了。 "你以为你赢了吗?
BR、