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器件型号：AM6421 主题中讨论的其他器件：SysConfig
工具与软件：
在直接模式下、时钟为10M
如上图所示调用接口、波形如下所示。
一个帧被分成三个帧。
我想知道这种现象是否正确？
您好、Ryan、
TAP 模式支持的模式如下：
读取512字节
应该可以阅读。
测试 OSPI_readIndirect 的性能(__LW_AT__使用以下类似方法）
您可以继续操作。
如果您遇到任何问题、敬请告知。
此致、
Vaibhav
您好、Ryan、
当我读取128字节的数据时、请注意我的闪存侧配置。 当我继续读取512字节的数据时、采用相同的配置。
此致、
Vaibhav
您好、Ryan、
由于我们的 SDK 不会对 NOR 或 NAND 闪存执行 INDAC 读取、因此我们没有在 MCU PLUS SDK 文档中提供性能测量。
除此之外、我正在研究 DMA DAC 读取的可能性、请注意、DMA 读取的下部拷贝为1024字节、这意味着传输大小应大于1024字节、以便发生 DMA。
因此、我们可以按如下方式更改此宏：
在文件中、ospi_v0.c 将宏更改为：
尊敬的 Zekun：
这些是在 TI EVM AM64x-SK 上看到的电流数字。
为提高效率所做的努力为：(这些努力没有提高 OSPI_readInDirect API 的效率)
此致、
Vaibhav
您好、Ryan、
我现在将分享这些更改。
将以下 API 替换为当前定义：
请包括：
static int32_t Flash_norOspiRead(Flash_Config *config, uint32_t offset, uint8_t *buf, uint32_t len)
{
int32_t status = SystemP_SUCCESS;
Flash_NorOspiObject *obj = (Flash_NorOspiObject *)(config->object);
Flash_Attrs *attrs = config->attrs;
int32_t startTime = 0, endTime = 0;
if(obj->phyEnable)
{
OSPI_enablePhy(obj->ospiHandle);
}
/* Validate address input */
if ((offset + len) > (attrs->flashSize))
{
status = SystemP_FAILURE;
}
if (status == SystemP_SUCCESS)
{
OSPI_Transaction transaction;
OSPI_Transaction_init(&transaction);
transaction.addrOffset = offset;
transaction.buf = (void *)buf;
transaction.count = len;
uint32_t* source = (uint32_t*) 0x60100000;
CacheP_inv(source, 512, CacheP_TYPE_ALLD);
startTime = ClockP_getTimeUsec();
status = OSPI_readIndirect(obj->ospiHandle, &transaction);
endTime = ClockP_getTimeUsec();
DebugP_log("Time in microseconds for %u bytes indac read is %u \r\n", len, (endTime - startTime));
}
if(obj->phyEnable)
{
OSPI_disablePhy(obj->ospiHandle);
}
return status;
}
int32_t OSPI_readIndirect(OSPI_Handle handle, OSPI_Transaction *trans)
{
int32_t status = SystemP_SUCCESS;
const OSPI_Attrs *attrs = ((OSPI_Config *)handle)->attrs;
const CSL_ospi_flash_cfgRegs *pReg = (const CSL_ospi_flash_cfgRegs *)(attrs->baseAddr);
uint8_t *pDst;
uint32_t addrOffset;
uint32_t sramLevel = 0;
uint32_t* source = (uint32_t*) 0x60100000;
addrOffset = trans->addrOffset;
pDst = (uint8_t *) trans->buf;
uint32_t* rxBuffer = (uint32_t*) pDst;
/* Disable DAC Mode */
CSL_REG32_FINS(&pReg->CONFIG_REG,
OSPI_FLASH_CFG_CONFIG_REG_ENB_DIR_ACC_CTLR_FLD,
0U);
/* Config the Indirect Read Transfer Start Address Register */
CSL_REG32_WR(&pReg->INDIRECT_READ_XFER_START_REG, addrOffset);
CSL_REG32_WR(&pReg->IND_AHB_ADDR_TRIGGER_REG, 0x100000);
// set INDIRECT_TRIGGER_ADDR_RANGE_REG to 7 instead of 4
CSL_REG32_WR(&pReg->INDIRECT_TRIGGER_ADDR_RANGE_REG, 7);
/* Set the transaction count */
CSL_REG32_WR(&pReg->INDIRECT_READ_XFER_NUM_BYTES_REG, trans->count);
// set parition config reg value to 127 imstead of the default 63
CSL_REG32_WR(&pReg->SRAM_PARTITION_CFG_REG, 127);
/* Set the Indirect Write Transfer Watermark Register */
CSL_REG32_WR(&pReg->INDIRECT_READ_XFER_WATERMARK_REG, 32);
/* Start the indirect read transfer */
CSL_REG32_FINS(&pReg->INDIRECT_READ_XFER_CTRL_REG,
OSPI_FLASH_CFG_INDIRECT_READ_XFER_CTRL_REG_START_FLD,
1);
// checking if indirect read has been completed.
do{
OSPI_waitReadSRAMLevel(pReg, &sramLevel);
}while(sramLevel != 128);
for(int i = 0; i < 128; i += 8)
{
rxBuffer[i + 0] = source[i + 0];
rxBuffer[i + 1] = source[i + 1];
rxBuffer[i + 2] = source[i + 2];
rxBuffer[i + 3] = source[i + 3];
rxBuffer[i + 4] = source[i + 4];
rxBuffer[i + 5] = source[i + 5];
rxBuffer[i + 6] = source[i + 6];
rxBuffer[i + 7] = source[i + 7];
}
// reset INDIRECT_TRIGGER_ADDR_RANGE_REG to 4 instead of 7
CSL_REG32_WR(&pReg->IND_AHB_ADDR_TRIGGER_REG, 0x00);
CSL_REG32_WR(&pReg->INDIRECT_TRIGGER_ADDR_RANGE_REG, 4);
// partition config reg
CSL_REG32_WR(&pReg->SRAM_PARTITION_CFG_REG, 63);
/* Set the Indirect Write Transfer Watermark Register back to default 16 */
CSL_REG32_WR(&pReg->INDIRECT_READ_XFER_WATERMARK_REG, 16);
return status;
}
此外、确保在应用程序的 SysConfig 中包含以下设置：
请注意、在上一个屏幕截图中、 .data.gOspiRxBuf 是接收缓冲区、我在应用程序级别全局初始化、如下所示：
此外、我的设置是166 MHz / 4、并且未像我们执行 INDAC 读取时那样启用 PHY 模式。
另请注意、OSPI_readIndirect 内部的实现专门满足512字节读取的需求。 可以将其修改 为通用、以读取 x 个字节。 首先、如果您也看到与我相同的性能、请通过在您的设置中读取精确的512字节来让我知道。
此致、
Vaibhav