[参考译文] TDA4VM SOM 布局问题

其他问题：

1. PMIC 和 SOC 在设计中注意到许多电源域变化。  这些问题在启动过程中是否解决了问题、是否降低了功耗、或者是否存在过载或连接不正确？
2. 客户 只能在设计中生成2个反钻跨距。  一个从顶部到第10层、另一个从底部到第11层。  原始 TI 设计中有第三个背钻跨度、从底部到第4层。  我们认为这一个可能也是必要的，因为它正在复员方案区域使用。  您可以确认吗？
3. 最后、TI E7布局中存在940个钻孔到过孔间距错误和114个钻孔到钻孔间距错误。  它们都与背钻有关。  在 DDR 部分中、钻孔到钻孔的间距低至~3.6mil。  辅助钻头(背钻)直径可能大于必要直径。  在8密耳的通孔(过孔)上、16-17密耳的辅助钻头可能足够了。  该设计目前使用直径为~22mil 的二次钻。  是否可以减小此直径？  大部分 DRC 都有可能被消除。

是-我们对初始设计进行了一些电源域更改。  这些更改都与修复问题/和/或错误连接有关。  未对设计进行任何改进以降低功耗。

对于 TI EVM -我们对 SERDES 和 LPDDR4接口都使用了背钻。  对于 SERDES、在从内层转换到底部连接器时、从顶部10进行后钻以移除过孔残桩。  这是特定于 EVM 设计的、因为连接器位于电路板底部。  如果连接器位于顶部、则不需要背钻。  LPDDR4使用两个背钻。  bot 4用于删除命令/地址 T-branch 的过孔残桩 A。  从 BOT-L11反向钻取大多数 LPDDR4信号的残桩(因为它们在 PCB 的上半部分布线)。  这两个背钻在仿真中都展示了改进性能的方法。

每个印刷电路板制造厂都有自己的背钻要求-钻孔尺寸、直径、间距等